AM4502CE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: AM4502CE
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 12 nC
trⓘ - Время нарастания: 9 ns
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
Тип корпуса: SOIC-8
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
AM4502CE Datasheet (PDF)
am4502ce.pdf

Analog Power AM4502CEP & N-Channel 30-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a PRODUCT SUMMARYhigh cell density trench process to provide low VDS (V) rDS(on) m()ID (A)rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC 20 @ V = 4.5V 8.4GS30converters and power management in portable and 16 @ V = 10V 10.0
am4502c.pdf

Analog Power AM4502CN & P-Channel 30-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on)16 @ VGS = 10V9.4 Low thermal impedance 3020 @ VGS = 4.5V8.4 Fast switching speed 24 @ VGS = -10V -7.9-3038 @ VGS = -4.5V -6.6Typical Applications: DC/DC Conversion Power Routing Motor Drives A
am4502ac.pdf

Analog Power AM4502ACP & N-Channel 30-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low PRODUCT SUMMARYrDS(on) and to ensure minimal power loss and heat VDS (V) rDS(on) m()ID (A)dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and 31 @ VGS = 4.5V 6.930battery-powered product
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: WMM38N60C2 | BUK426-1000B | FQPF3N80 | AFN6530S | IRLMS1902 | FQPF3N80CYDTU
History: WMM38N60C2 | BUK426-1000B | FQPF3N80 | AFN6530S | IRLMS1902 | FQPF3N80CYDTU



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
Popular searches
irf9540n | bd139 datasheet | irf9640 | 2n3053 | a1015 | mpsa42 | 2n5551 transistor | a1015 transistor