AM4502CE MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AM4502CE
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.1 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 12 nC
Время нарастания (tr): 9 ns
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.016 Ohm
Тип корпуса: SOIC-8
AM4502CE Datasheet (PDF)
am4502ce.pdf
Analog Power AM4502CEP & N-Channel 30-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a PRODUCT SUMMARYhigh cell density trench process to provide low VDS (V) rDS(on) m()ID (A)rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC 20 @ V = 4.5V 8.4GS30converters and power management in portable and 16 @ V = 10V 10.0
am4502c.pdf
Analog Power AM4502CN & P-Channel 30-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on)16 @ VGS = 10V9.4 Low thermal impedance 3020 @ VGS = 4.5V8.4 Fast switching speed 24 @ VGS = -10V -7.9-3038 @ VGS = -4.5V -6.6Typical Applications: DC/DC Conversion Power Routing Motor Drives A
am4502ac.pdf
Analog Power AM4502ACP & N-Channel 30-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low PRODUCT SUMMARYrDS(on) and to ensure minimal power loss and heat VDS (V) rDS(on) m()ID (A)dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and 31 @ VGS = 4.5V 6.930battery-powered product
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
