Справочник MOSFET. 2SK2652

 

2SK2652 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SK2652
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 80 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK2652 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:251K  inchange semiconductor
 2sk2652.pdf pdf_icon

2SK2652

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor 2SK2652FEATURESDrain Source Voltage-: V = 900V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 2.5(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies andgeneral purpose applications.

 0.1. Size:312K  fuji
 2sk2652-01.pdf pdf_icon

2SK2652

N-channel MOS-FET2SK2652-01FAP-IIS Series 900V 2,5 6A 125W> Features > Outline Drawing- High Speed Switching- Low On-Resistance- No Secondary Breakdown- Low Driving Power- High Voltage- VGS = 30V Guarantee- Repetitive Avalanche Rated> Applications- Switching Regulators- UPS- DC-DC converters- General Purpose Power Amplifier> Maximum Ratings and Characterist

 8.1. Size:30K  panasonic
 2sk2659.pdf pdf_icon

2SK2652

Power F-MOS FETs 2SK26592SK2659Silicon N-Channel Power F-MOSUnit : mm5.0 0.1 Features10.0 0.2 1.0 Avalanche energy capability guaranteed High-speed switching90 Low ON-resistance No secondary breakdown 1.2 0.1 C1.02.25 0.2 Low-voltage drive0.65 0.10.35 0.1 1.05 0.1 Radial taping possible0.55 0.10.55 0.1 ApplicationsNon-contact relayNo

 8.2. Size:304K  fuji
 2sk2653-01r.pdf pdf_icon

2SK2652

N-channel MOS-FET2SK2653-01RFAP-IIS Series 900V 2,5 6A 80W> Features > Outline Drawing- High Speed Switching- Low On-Resistance- No Secondary Breakdown- Low Driving Power- High Voltage- VGS = 30V Guarantee- Repetitive Avalanche Rated> Applications- Switching Regulators- UPS- DC-DC converters- General Purpose Power Amplifier> Maximum Ratings and Characterist

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... ITF87052SVT , ITF87056DQT , ITF87068SQT , ITF87072DK8T , 12N65KL-TF , 20N03 , 2N0609 , 2SK2080 , IRFZ24N , 2SK2654 , 2SK3530 , 2SK3681 , 3N150S , 80N08A , AOB12N65 , AOB2144L , IXFH10N100 .

History: SI9945BDY | NVTFS002N04C

 

 
Back to Top

 


 
.