AM4964NT
MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AM4964NT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1
W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60
V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20
V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1
V
|Id|ⓘ - Максимально
допустимый постоянный ток стока: 5.3
A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150
°C
Qgⓘ -
Общий заряд затвора: 3.8
nC
trⓘ -
Время нарастания: 4
ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 57
pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05
Ohm
Тип корпуса:
SO-8
Аналог (замена) для AM4964NT
AM4964NT
Datasheet (PDF)
..1. Size:314K analog power
am4964nt.pdf Analog Power AM4964NTN-Channel 60-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on)50 @ VGS = 10V5.3 Low thermal impedance 6060 @ VGS = 4.5V4.9 Fast switching speed Typical Applications: White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MAXIMUM
9.1. Size:219K analog power
am4962ne.pdf Analog Power AM4962NEN-Channel 60-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low PRODUCT SUMMARYrDS(on) and to ensure minimal power loss and heat VDS (V) rDS(on) m()ID (A)dissipation. Typical applications are DC-DC 35 @ VGS = 10V 6.4converters and power management in portable and 60battery-powered products s
9.2. Size:309K analog power
am4963p.pdf Analog Power AM4963PDual P-Channel 60-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)120 @ VGS = -10V -3.5 Low thermal impedance -60180 @ VGS = -4.5V -2.8 Fast switching speed Typical Applications: White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE
9.3. Size:205K analog power
am4960n.pdf Analog Power AM4960NN-Channel 60-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low PRODUCT SUMMARYrDS(on) and to ensure minimal power loss and heat VDS (V) rDS(on) m()ID (A)dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and 89 @ VGS = 10V 4.060battery-powered products such
Другие MOSFET... IRFP360LC
, IRFP3710
, IRFP430
, IRFP431
, IRFP432
, IRFP433
, IRFP440
, IRFP440A
, IRFP250
, IRFP442
, IRFP443
, IRFP448
, IRFP450
, IRFP450A
, IRFP450FI
, IRFP450LC
, IRFP451
.