Справочник MOSFET. AOB12N65

 

AOB12N65 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOB12N65
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 278 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 39.8 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 77 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 152 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.72 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для AOB12N65

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOB12N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:385K  aosemi
 aot12n65 aotf12n65 aob12n65.pdf pdf_icon

AOB12N65

AOT12N65/AOTF12N65/AOB12N65650V, 12A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary VDS750V@150The AOT12N65 & AOTF12N65 & AOB12N65 have beenfabricated using an advanced high voltage MOSFET ID (at VGS=10V) 12Aprocess that is designed to deliver high levels of RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:253K  inchange semiconductor
 aob12n65.pdf pdf_icon

AOB12N65

isc N-Channel MOSFET Transistor AOB12N65FEATURESDrain Current I =12A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =650V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.72(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpos

 0.1. Size:385K  aosemi
 aob12n65l.pdf pdf_icon

AOB12N65

AOT12N65/AOTF12N65/AOB12N65650V, 12A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary VDS750V@150The AOT12N65 & AOTF12N65 & AOB12N65 have beenfabricated using an advanced high voltage MOSFET ID (at VGS=10V) 12Aprocess that is designed to deliver high levels of RDS(ON) (at VGS=10V)

 0.2. Size:253K  inchange semiconductor
 aob12n65l.pdf pdf_icon

AOB12N65

isc N-Channel MOSFET Transistor AOB12N65LFEATURESDrain Current I =12A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =650V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.72(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top

 


 
.