IXFH10N100 - описание и поиск аналогов

 

IXFH10N100. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXFH10N100

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для IXFH10N100

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFH10N100 даташит

 ..1. Size:570K  ixys
 ixfh10n100 ixfm10n100 ixfh12n100 ixfm12n100.pdf pdf_icon

IXFH10N100

 0.1. Size:568K  ixys
 ixfh10n100q.pdf pdf_icon

IXFH10N100

 0.2. Size:144K  ixys
 ixft12n100q ixfh12n100q ixft10n100q ixfh10n100q.pdf pdf_icon

IXFH10N100

VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM IXFH/IXFT12N100Q 1000 V 12 A 1.05 Power MOSFETs IXFH/IXFT10N100Q 1000 V 10 A 1.20 Q Class trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Low Qg, High dv/dt Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 1000 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS

 7.1. Size:179K  ixys
 ixfh10n90 ixfm10n90 ixfh12n90 ixfm12n90 ixfh13n90 ixfm13n90.pdf pdf_icon

IXFH10N100

VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM IXFH/IXFM 10 N90 900 V 10 A 1.1 Power MOSFETs IXFH/IXFM 12 N90 900 V 12 A 0.9 IXFH/IXFT 13 N90 900 V 13 A 0.8 N-Channel Enhancement Mode 250 ns High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family trr TO-247 AD (IXFH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 1

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... 2SK2652 , 2SK2654 , 2SK3530 , 2SK3681 , 3N150S , 80N08A , AOB12N65 , AOB2144L , IRF1407 , IXFH10N90 , IXFH11N80 , IXFH12N100 , IXFH12N100Q , IXFH12N90 , IXFH12N90Q , IXFH13N50 , IXFH13N80 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.