Справочник MOSFET. AM6411P

 

AM6411P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AM6411P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.7 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 55 nC
   trⓘ - Время нарастания: 75 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP-8

 Аналог (замена) для AM6411P

 

 

AM6411P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:166K  analog power
 am6411p.pdf

AM6411P AM6411P

Analog Power AM6411PP-Channel 20-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) m()ID (A)These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low 13 @ VGS = -4.5V -9.5rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat -20 19 @ VGS = -2.5V -7.9dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and 35

 9.1. Size:559K  ait semi
 am6415.pdf

AM6411P AM6411P

AiT Semiconductor Inc. AM6415 www.ait-ic.com MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DESCRIPTION FEATURES AM6415 is available in a SOT-26 package. -20V/-4.4A, R = 71m(max.) @ V = -4.5V DS(ON) GSR = 104m(max.) @ V = -2.7V DS(ON) GSR = 110m(max.) @ V = -2.5V DS(ON) GSR = 193m(max.) @ V = -1.8V DS(ON) GS Super High Dense Cell Design Reliable and Rugg

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top