AM6411P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AM6411P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm

Тип корпуса: TSSOP-8

Аналог (замена) для AM6411P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM6411P даташит

 ..1. Size:166K  analog power
 am6411p.pdf pdf_icon

AM6411P

Analog Power AM6411P P-Channel 20-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) rDS(on) m( )ID (A) These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low 13 @ VGS = -4.5V -9.5 rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat -20 19 @ VGS = -2.5V -7.9 dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and 35

 9.1. Size:559K  ait semi
 am6415.pdf pdf_icon

AM6411P

AiT Semiconductor Inc. AM6415 www.ait-ic.com MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DESCRIPTION FEATURES AM6415 is available in a SOT-26 package. -20V/-4.4A, R = 71m (max.) @ V = -4.5V DS(ON) GS R = 104m (max.) @ V = -2.7V DS(ON) GS R = 110m (max.) @ V = -2.5V DS(ON) GS R = 193m (max.) @ V = -1.8V DS(ON) GS Super High Dense Cell Design Reliable and Rugg

Другие IGBT... AM60N03-09D, AM60N04-12D, AM60N10-13D, AM60N10-70P, AM60N10-70PCFM, AM60P04-10D, AM6378, AM6401, AON6414A, AM6415, AM6441P, AM6520C, AM6544C, AM6602, AM6612N, AM6612NE, AM6802