Справочник MOSFET. AM6411P

 

AM6411P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AM6411P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP-8
 

 Аналог (замена) для AM6411P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM6411P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:166K  analog power
 am6411p.pdf pdf_icon

AM6411P

Analog Power AM6411PP-Channel 20-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) m()ID (A)These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low 13 @ VGS = -4.5V -9.5rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat -20 19 @ VGS = -2.5V -7.9dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and 35

 9.1. Size:559K  ait semi
 am6415.pdf pdf_icon

AM6411P

AiT Semiconductor Inc. AM6415 www.ait-ic.com MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DESCRIPTION FEATURES AM6415 is available in a SOT-26 package. -20V/-4.4A, R = 71m(max.) @ V = -4.5V DS(ON) GSR = 104m(max.) @ V = -2.7V DS(ON) GSR = 110m(max.) @ V = -2.5V DS(ON) GSR = 193m(max.) @ V = -1.8V DS(ON) GS Super High Dense Cell Design Reliable and Rugg

Другие MOSFET... AM60N03-09D , AM60N04-12D , AM60N10-13D , AM60N10-70P , AM60N10-70PCFM , AM60P04-10D , AM6378 , AM6401 , IRFB4110 , AM6415 , AM6441P , AM6520C , AM6544C , AM6602 , AM6612N , AM6612NE , AM6802 .

History: SVT044R5NT | ME6874-G | HMS75N65T | RQ6E035AT | CHM5813ESQ2GP | IXTA76N075T

 

 
Back to Top

 


 
.