IRFH7911PBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRFH7911PBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.4 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0086 Ohm
Тип корпуса: PQFN5X6
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
IRFH7911PBF Datasheet (PDF)
irfh7911pbf.pdf

IRFH7911PbFHEXFET Power MOSFETQ1 Q2VDS30 30 VRDS(on) max 8.6 3.0 m(@VGS = 10V)Qg (typical)8.3 34 nCID 13 28 A(@TA = 25C)Dual PQFN 5X6 mmApplications Control and synchronous MOSFET for buck convertersFeatures and BenefitsBenefitsFeaturesIncreased power densityControl and synchronous FET in one package(50% vs two PQFN 5x6) Low charge control MOSF
irfh7914trpbf.pdf

IRFH7914PbFHEXFET Power MOSFETApplicationsl Control MOSFET of Sync-Buck ConvertersVDSS RDS(on) maxQgused for Notebook Processor Power8.7m30V @VGS = 10V8.3nCl Control MOSFET for Isolated DC-DCConverters in Networking SystemsBenefitsl Very low RDS(ON) at 4.5V VGSl Low Gate Chargel Fully Characterized Avalanche Voltage and Currentl 100% Tested for RGl Lead-
irfh7914pbf.pdf

IRFH7914PbFHEXFET Power MOSFETApplicationsl Control MOSFET of Sync-Buck ConvertersVDSS RDS(on) maxQgused for Notebook Processor Power8.7m30V @VGS = 10V8.3nCl Control MOSFET for Isolated DC-DCConverters in Networking SystemsBenefitsl Very low RDS(ON) at 4.5V VGSl Low Gate Chargel Fully Characterized Avalanche Voltage and Currentl 100% Tested for RGl Lead-
irfh7934trpbf.pdf

IRFH7934PbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max Qgl Control MOSFET of Sync-Buck Convertersused for Notebook Processor Power 30V 3.5m @VGS = 10V 20nCl Control MOSFET for Isolated DC-DCConverters in Networking SystemsBenefitsl Very low RDS(ON) at 4.5V VGSl Low Gate Chargel Fully Characterized Avalanche Voltage andCurrentl 100% Tested for RGPQFN 5X6 mml L
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: ZXMN0545G4 | SE4060 | IPA600N25NM3S
History: ZXMN0545G4 | SE4060 | IPA600N25NM3S



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
irfp250n datasheet | 2n5550 | 2sd1047 | 2n3035 | ksc1815 | bu406 | j201 datasheet | 2n5088 datasheet