IRFH8334PBF-1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFH8334PBF-1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: PQFN5X6

Аналог (замена) для IRFH8334PBF-1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFH8334PBF-1 даташит

 ..1. Size:236K  international rectifier
 irfh8334pbf-1.pdf pdf_icon

IRFH8334PBF-1

IRFH8334PbF-1 HEXFET Power MOSFET VDS 30 V VGS max V 20 RDS(on) max 9.0 (@VGS = 10V) m (@VGS = 4.5V) 13.5 Qg typ. 7.1 nC PQFN 5X6 mm ID 25 A (@Tc(Bottom) = 25 C) Applications Control MOSFET for high frequency buck converters Features Benefits Industry-standard pinout PQFN 5 x 6mm Package Multi-Vendor Compatibility Compatible with Existing Surface Mou

 3.1. Size:298K  international rectifier
 irfh8334pbf.pdf pdf_icon

IRFH8334PBF-1

IRFH8334PbF HEXFET Power MOSFET VDS 30 V VGS max V 20 RDS(on) max 9.0 (@VGS = 10V) m (@VGS = 4.5V) 13.5 Qg typ. 7.1 nC PQFN 5X6 mm ID 25 A (@Tc(Bottom) = 25 C) Applications Control MOSFET for high frequency buck converters Features and Benefits Features Benefits Low Thermal Resistance to PCB (

 7.1. Size:226K  international rectifier
 irfh8337pbf.pdf pdf_icon

IRFH8334PBF-1

PD - 97646C IRFH8337PbF HEXFET Power MOSFET VDS 30 V VGS max V 20 RDS(on) max 12.8 (@VGS = 10V) m (@VGS = 4.5V) 19.9 Qg typ. 4.7 nC PQFN 5X6 mm ID 16.2 A (@Tc(Bottom) = 25 C) Applications Control MOSFET for high frequency buck converters Features and Benefits Features Benefits Low Thermal Resistance to PCB (

 7.2. Size:312K  international rectifier
 irfh8330pbf.pdf pdf_icon

IRFH8334PBF-1

IRFH8330PbF HEXFET Power MOSFET VDS 30 V VGS max V 20 RDS(on) max 6.6 (@VGS = 10V) m (@VGS = 4.5V) 9.9 Qg typ. 9.3 nC PQFN 5X6 mm ID 25 A (@Tc(Bottom) = 25 C) Applications Control MOSFET for high frequency buck converters Synchronous MOSFET for high frequency buck converters Features and Benefits Features Benefits Low Thermal Resistance to PCB (

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFH8303, IRFH8307, IRFH8311, IRFH8316, IRFH8318PBF, IRFH8321, IRFH8325PBF, IRFH8330PBF, AON7403, IRFH8337PBF, IRFHE4250D, IRFHM3911, IRFHM4226, IRFHM4231, IRFHM4234, IRFHM7194, IRFHM8228