IRFHM830DPBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRFHM830DPBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.35 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 13 nC
trⓘ - Время нарастания: 20 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 363 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0043 Ohm
Тип корпуса: PQFN3.3X3.3
Аналог (замена) для IRFHM830DPBF
IRFHM830DPBF Datasheet (PDF)
irfhm830dpbf.pdf
PD -96327AIRFHM830DPbFHEXFET Power MOSFETVDS30 VRDS(on) max D 5 4 G4.3 m(@VGS = 10V)D 6 3 SQg (typical)13nCD 7 2 SRG (typical)1.1 D 8 1 SID 40 A3.3mm x 3.3mm PQFN(@Tc(Bottom) = 25C)Applications Synchronous MOSFET for Buck ConvertersFeatures and BenefitsFeatures BenefitsLow RDSon ( 4.3m) Lower Conduction LossesSchottky intrin
irfhm830d.pdf
PD -96327AIRFHM830DPbFHEXFET Power MOSFETVDS30 VRDS(on) max D 5 4 G4.3 m(@VGS = 10V)D 6 3 SQg (typical)13nCD 7 2 SRG (typical)1.1 D 8 1 SID 40 A3.3mm x 3.3mm PQFN(@Tc(Bottom) = 25C)Applications Synchronous MOSFET for Buck ConvertersFeatures and BenefitsFeatures BenefitsLow RDSon ( 4.3m) Lower Conduction LossesSchottky intrin
irfhm830trpbf.pdf
IRFHM830PbF HEXFET Power MOSFET VDSS 30 V RDS(on) max 3.8 m(@ VGS = 10V) Qg (typical) 15 nC Rg (typical) 2.5 ID 40 A(@TC (Bottom) = 25C) PQFN 3.3 x 3.3 mm Applications Battery Operated DC Motor Inverter MOSFET Features Benefits Low RDSon (
irfhm830pbf.pdf
PD - 97547AIRFHM830PbFHEXFET Power MOSFETVDS30 VRDS(on) max 3.8 m D 5 4 G(@VGS = 10V)D 6 3 SQg (typical)15nCD 7 2 SRG (typical)2.5 D 8 1 S3.3mm x 3.3mm PQFNID 40 A(@Tc(Bottom) = 25C)Applications Battery Operated DC Motor Inverter MOSFETFeatures and BenefitsFeatures BenefitsLow RDSon (
irfhm830pbf.pdf
IRFHM830PbF HEXFET Power MOSFET VDSS 30 V RDS(on) max 3.8 m(@ VGS = 10V) Qg (typical) 15 nC Rg (typical) 2.5 ID 40 A(@TC (Bottom) = 25C) PQFN 3.3 x 3.3 mm Applications Battery Operated DC Motor Inverter MOSFET Features Benefits Low RDSon (
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: MTW20N50E
History: MTW20N50E
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918