Справочник MOSFET. AM7361P

 

AM7361P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AM7361P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 182 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AM7361P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:293K  analog power
am7361p.pdfpdf_icon

AM7361P

Analog Power AM7361PP-Channel 60-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)38 @ VGS = -10V -7.9 Low thermal impedance -6045 @ VGS = -4.5V -7.3 Fast switching speed Typical Applications: DFN3x3-8L White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABS

 9.1. Size:374K  analog power
am7366n.pdfpdf_icon

AM7361P

Analog Power AM7366NN-Channel 60-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on)50 @ VGS = 10V6.9 Low thermal impedance 6060 @ VGS = 4.5V6.3 Fast switching speed Typical Applications: DFN3x3-8L DC/DC Conversion Circuits Motor Drives ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25C UNLESS OTHERWISE N

 9.2. Size:469K  analog power
am7360n.pdfpdf_icon

AM7361P

Analog Power AM7360NN-Channel 60-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)22 @ VGS = 10V11 Low thermal impedance 6026 @ VGS = 4.5V10 Fast switching speed DFN3x3-8L Typical Applications: DC/DC Conversion Circuits Motor Drives ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25C UNLESS OTHERWISE NOTE

 9.3. Size:67K  analog power
am7362na.pdfpdf_icon

AM7361P

Analog Power AM7362NAN-Channel 60-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a PRODUCT SUMMARYhigh cell density trench process to provide low VDS (V) rDS(on) m() ID (A)rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC 8 @ VGS = 10V 18converters and power management in portable and 609 @ VGS = 4.5V 17battery-po

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , IRFZ48N , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

History: DMN3052LSS | FHF630A

 

 
Back to Top

 


 
.