AM7365P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AM7365P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 232 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3

Аналог (замена) для AM7365P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM7365P даташит

 ..1. Size:376K  analog power
am7365p.pdfpdf_icon

AM7365P

Analog Power AM7365P P-Channel 60-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on) 24 @ VGS = -10V -10 Low thermal impedance -60 32 @ VGS = -4.5V -9 Fast switching speed Typical Applications White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MAXIMUM

 9.1. Size:374K  analog power
am7366n.pdfpdf_icon

AM7365P

Analog Power AM7366N N-Channel 60-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on) 50 @ VGS = 10V 6.9 Low thermal impedance 60 60 @ VGS = 4.5V 6.3 Fast switching speed Typical Applications DFN3x3-8L DC/DC Conversion Circuits Motor Drives ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C UNLESS OTHERWISE N

 9.2. Size:469K  analog power
am7360n.pdfpdf_icon

AM7365P

Analog Power AM7360N N-Channel 60-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on) 22 @ VGS = 10V 11 Low thermal impedance 60 26 @ VGS = 4.5V 10 Fast switching speed DFN3x3-8L Typical Applications DC/DC Conversion Circuits Motor Drives ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C UNLESS OTHERWISE NOTE

 9.3. Size:67K  analog power
am7362na.pdfpdf_icon

AM7365P

Analog Power AM7362NA N-Channel 60-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize a PRODUCT SUMMARY high cell density trench process to provide low VDS (V) rDS(on) m( ) ID (A) rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC 8 @ VGS = 10V 18 converters and power management in portable and 60 9 @ VGS = 4.5V 17 battery-po

Другие IGBT... AM7340N, AM7341P, AM7343P, AM7360N, AM7361P, AM7362NA, AM7363P, AM7364N, 7N65, AM7366N, AM7367P, AM7380N, AM7381P, AM7382N, AM7390NS, AM7400N, AM7401P