IXFH20N80Q datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXFH20N80Q  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 360 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.42 Ohm

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IXFH20N80Q

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFH20N80Q даташит

 ..1. Size:149K  ixys
 ixfh20n80q ixfk20n80q ixft20n80q.pdf pdf_icon

IXFH20N80Q

IXFH20N80Q VDSS = 800 V HiPerFETTM IXFK20N80Q ID25 = 20 A Power MOSFETs IXFT20N80Q RDS(on) = 0.42 Q-Class N-Channel Enhancement Mode trr 250 ns Avalanche Rated, Low Qg, High dv/dt Preliminary Data TO-247 AD (IXFH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 800 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 800

 5.1. Size:326K  ixys
 ixfh20n80p ixft20n80p ixfv20n80p.pdf pdf_icon

IXFH20N80Q

IXFH 20N80P VDSS = 800 V PolarHVTM HiPerFET IXFT 20N80P ID25 = 20 A Power MOSFET IXFV 20N80P RDS(on) 520 m N-Channel Enhancement Mode IXFV 20N80PS trr 250 ns Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 800 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RG

 6.1. Size:226K  ixys
 ixfp20n85x ixfh20n85x.pdf pdf_icon

IXFH20N80Q

X-Class HiPerFETTM VDSS = 850V IXFP20N85X Power MOSFET ID25 = 20A IXFH20N85X RDS(on) 330m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-220 (IXFP) G Symbol Test Conditions Maximum Ratings D S VDSS TJ = 25 C to 150 C 850 V D (Tab) VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 850 V TO-247 (IXFH) VGSS Continuous 30 V VGSM Transient 4

 6.2. Size:288K  ixys
 ixfa20n85xhv ixfh20n85x ixfa20n85xhv ixfp20n85x ixfh20n85x.pdf pdf_icon

IXFH20N80Q

X-Class HiPerFETTM VDSS = 850V IXFA20N85XHV Power MOSFET ID25 = 20A IXFP20N85X RDS(on) 330m IXFH20N85X N-Channel Enhancement Mode TO-263HV Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode G S D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220AB (IXFP) VDSS TJ = 25 C to 150 C 850 V VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 850 V VGSS Continuo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXFH14N100, IXFH14N80, IXFH15N100, IXFH15N60, IXFH15N80, IXFH16N90, IXFH20N60, IXFH20N60Q, IRFZ46N, IXFH21N50, IXFH22N55, IXFH24N50, IXFH26N50, IXFH26N50Q, IXFH26N60Q, IXFH30N50, IXFH32N50