Справочник MOSFET. AM8205

 

AM8205 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AM8205
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: SOT-26
 

 Аналог (замена) для AM8205

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM8205 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:827K  ait semi
am8205.pdfpdf_icon

AM8205

AiT Semiconductor Inc. AM8205 www.ait-ic.com MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION FEATURES The AM8205 uses advanced trench technology to V = 20V, I = 6A DS Dprovide excellent R , low gate charge and R

 9.1. Size:795K  ait semi
am8208.pdfpdf_icon

AM8205

AiT Semiconductor Inc. AM8208 www.ait-ic.com MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION FEATURES The AM8208 uses advanced trench technology to V = 20V, I = 6A DS Dprovide excellent R , low gate charge and Typ.R = 17m @ V = 4.5V DS(ON) DS(ON) GSoperation with gate voltages as low as 2.5V. This Typ.R = 22m @ V = 2.5V DS(ON) GSdevice is suitable for use

 9.2. Size:788K  ait semi
am8206.pdfpdf_icon

AM8205

AiT Semiconductor Inc. AM8206 www.ait-ic.com MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION FEATURES The AM8206 uses advanced trench technology to V = 20V, I = 7A DS Dprovide excellent R , low gate charge and R

 9.3. Size:812K  ait semi
am8204.pdfpdf_icon

AM8205

AiT Semiconductor Inc. AM8204 www.ait-ic.com MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION FEATURES The AM8204 uses advanced trench technology to V = 20V, I = 6A DS Dprovide excellent R , low gate charge and Typ.R = 17m @ V = 4.5V DS(ON) DS(ON) GSoperation with gate voltages as low as 2.5V. This Typ.R = 22m @ V = 2.5V DS(ON) GSdevice is suitable for use

Другие MOSFET... AM7960N , AM7961P , AM7962N , AM80N03-05D , AM80N03-06D , AM80N06-05D , AM80N20-40PCFM , AM8204 , IRF840 , AM8206 , AM8208 , AM8810 , AM8811 , AM8812 , AM8814 , AM8820 , AM8881 .

History: P0460AT | BUZ77B | IPAN60R210PFD7S | P6503FMA | TSF13N50M | AUIRF7739L2 | RFP12N08

 

 
Back to Top

 


 
.