Справочник MOSFET. AM8205

 

AM8205 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AM8205
   Маркировка: E6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.5 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.2 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 12 nC
   Время нарастания (tr): 11 ns
   Выходная емкость (Cd): 220 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.022 Ohm
   Тип корпуса: SOT-26

 Аналог (замена) для AM8205

 

 

AM8205 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:827K  ait semi
 am8205.pdf

AM8205 AM8205

AiT Semiconductor Inc. AM8205 www.ait-ic.com MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION FEATURES The AM8205 uses advanced trench technology to V = 20V, I = 6A DS Dprovide excellent R , low gate charge and R

 9.1. Size:795K  ait semi
 am8208.pdf

AM8205 AM8205

AiT Semiconductor Inc. AM8208 www.ait-ic.com MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION FEATURES The AM8208 uses advanced trench technology to V = 20V, I = 6A DS Dprovide excellent R , low gate charge and Typ.R = 17m @ V = 4.5V DS(ON) DS(ON) GSoperation with gate voltages as low as 2.5V. This Typ.R = 22m @ V = 2.5V DS(ON) GSdevice is suitable for use

 9.2. Size:788K  ait semi
 am8206.pdf

AM8205 AM8205

AiT Semiconductor Inc. AM8206 www.ait-ic.com MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION FEATURES The AM8206 uses advanced trench technology to V = 20V, I = 7A DS Dprovide excellent R , low gate charge and R

 9.3. Size:812K  ait semi
 am8204.pdf

AM8205 AM8205

AiT Semiconductor Inc. AM8204 www.ait-ic.com MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION FEATURES The AM8204 uses advanced trench technology to V = 20V, I = 6A DS Dprovide excellent R , low gate charge and Typ.R = 17m @ V = 4.5V DS(ON) DS(ON) GSoperation with gate voltages as low as 2.5V. This Typ.R = 22m @ V = 2.5V DS(ON) GSdevice is suitable for use

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top