Справочник MOSFET. STN18D20

 

STN18D20 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STN18D20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 112 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.22 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для STN18D20

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STN18D20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:310K  stansontech
 stn18d20.pdf pdf_icon

STN18D20

STN18D20 N Channel Enhancement Mode MOSFET 18.0A DESCRIPTION STN18D20 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage application such as power management

 9.1. Size:883K  stansontech
 stn1810.pdf pdf_icon

STN18D20

STN1810 N Channel Enhancement Mode MOSFET 8.0A DESCRIPTION STN1810 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switching performance. These applications such as notebook computer power

Другие MOSFET... AM9926 , AM9926N , AM9945N , AM9945NE , AM9N65P , STN1012 , STN1304 , STN1810 , IRFZ48N , STN1NF20 , STN2018 , STN2300 , STN2300A , STN2302 , STN2306 , STN2342 , STN2342A .

History: YJL2312AL | AOT2146L

 

 
Back to Top

 


 
.