Справочник MOSFET. STN18D20

 

STN18D20 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STN18D20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 112 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 18 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 17.6 nC
   Время нарастания (tr): 23 ns
   Выходная емкость (Cd): 110 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.22 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для STN18D20

 

 

STN18D20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:310K  stansontech
 stn18d20.pdf

STN18D20 STN18D20

STN18D20 N Channel Enhancement Mode MOSFET 18.0A DESCRIPTION STN18D20 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage application such as power management

 9.1. Size:883K  stansontech
 stn1810.pdf

STN18D20 STN18D20

STN1810 N Channel Enhancement Mode MOSFET 8.0A DESCRIPTION STN1810 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switching performance. These applications such as notebook computer power

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top