STN2018 - аналоги и даташиты транзистора

 

STN2018 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: STN2018
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для STN2018

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STN2018 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1151K  stansontech
 stn2018.pdf pdf_icon

STN2018

STN2018 N Channel Enhancement Mode MOSFET 10.0A DESCRIPTION STN2018 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistors which are produced using high cell density DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage application, notbook computer power

Другие MOSFET... AM9945N , AM9945NE , AM9N65P , STN1012 , STN1304 , STN1810 , STN18D20 , STN1NF20 , IRF830 , STN2300 , STN2300A , STN2302 , STN2306 , STN2342 , STN2342A , STN2NE10 , STN2NE10L .

History: IPI086N10N3G | IXKR40N60C

 

 
Back to Top

 


 
.