STN2018. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STN2018

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для STN2018

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STN2018 даташит

 ..1. Size:1151K  stansontech
 stn2018.pdf pdf_icon

STN2018

STN2018 N Channel Enhancement Mode MOSFET 10.0A DESCRIPTION STN2018 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistors which are produced using high cell density DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage application, notbook computer power

Другие IGBT... AM9945N, AM9945NE, AM9N65P, STN1012, STN1304, STN1810, STN18D20, STN1NF20, 7N60, STN2300, STN2300A, STN2302, STN2306, STN2342, STN2342A, STN2NE10, STN2NE10L