Справочник MOSFET. STN2018

 

STN2018 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STN2018
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STN2018 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1151K  stansontech
 stn2018.pdf pdf_icon

STN2018

STN2018 N Channel Enhancement Mode MOSFET 10.0A DESCRIPTION STN2018 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistors which are produced using high cell density DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage application, notbook computer power

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: STP16NM50N | BUK455-100B | NCEAP016N10LL | FDG6320C | SI7413DN | STB10NK60ZT4 | SSF65R420S2

 

 
Back to Top

 


 
.