STN2302. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STN2302

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 44 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для STN2302

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STN2302 даташит

 ..1. Size:367K  semtron
 stn2302.pdf pdf_icon

STN2302

STN2302 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION FEATURE The STN2302 is the N-Channel logic enhancement 20V/4.0A, RDS(ON) =50m (typ.)@VGS =4.5V mode power field effect transistor is produced using 20V/3.0A, RDS(ON) =65m (typ.)@VGS =2.5V high cell density. advanced trench technology to provide excellent RDS(ON). low gate charge and Super high densi

 8.1. Size:151K  semtron
 stn2306.pdf pdf_icon

STN2302

STN2306 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION FEATURE The STN2306 is the N-Channel logic enhancement 30V/3.6A, RDS(ON)= 45m (typ.)@VGS= 10V mode power field effect transistor is produced using 30V/2.8A, RDS(ON)= 55m (typ.)@VGS= 4.5V high cell density. advanced trench technology to Super high density cell design for extremely provide excellent RDS(ON)

 8.2. Size:368K  semtron
 stn2300a.pdf pdf_icon

STN2302

STN2300A 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION FEATURE The STN2300A is the N-Channel logic 20V/4.0A, RDS(ON) =22m (typ.)@VGS =4.5V enhancement mode power field effect transistor is 20V/3.0A, RDS(ON) =25m (typ.)@VGS =2.5V produced using high cell density. advanced trench 20V/2.0A, RDS(ON) =33m (typ.)@VGS =1.8V technology to provide excellent RD

 8.3. Size:367K  semtron
 stn2300.pdf pdf_icon

STN2302

STN2300 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION FEATURE The STN2300 is the N-Channel logic enhancement 20V/4.0A, RDS(ON) =26m (typ.)@VGS =4.5V mode power field effect transistor is produced using 20V/3.0A, RDS(ON) =35m (typ.)@VGS =2.5V high cell density. advanced trench technology to 20V/2.0A, RDS(ON) =50m (typ.)@VGS =1.8V provide excellent RDS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STN1012, STN1304, STN1810, STN18D20, STN1NF20, STN2018, STN2300, STN2300A, IRF830, STN2306, STN2342, STN2342A, STN2NE10, STN2NE10L, STN3400, STN3400A, STN3404