STN2NE10L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STN2NE10L
Маркировка: N2NE10L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1.8 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 10 nC
Время нарастания (tr): 17 ns
Выходная емкость (Cd): 45 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.4 Ohm
Тип корпуса: SOT-223
STN2NE10L Datasheet (PDF)
stn2ne10l.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
STN2NE10LN-channel 100V - 0.33 -2A - SOT-223STripFET Power MOSFETGeneral featuresVDSS Type RDS(on) ID(@Tjmax)2STN2NE10L 100V
stn2ne10.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
STN2NE10N - CHANNEL 100V - 0.33 - 2A - SOT-223STripFET POWER MOSFETPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTN2NE10 100 V
stn2ne06.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
STN2NE06N-CHANNEL 60V - 0.18 - 2A - SOT-223STripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTN2NE06 60 V
stn2n10l.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
STN2N10LN - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORADVANCE DATATYPE V R IDSS DS(on) DCONTSTN2N10L 100 V
stn2nf06l.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
STN2NF06LN-CHANNEL 60V - 0.1 - 2A SOT-223STripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTN2NF06L 60 V
stn2nf06.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
STN2NF06N - CHANNEL 60V - 0.12 - 2A - SOT-223STripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTN2NF06 60 V
stn2n06.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
STN2N06N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORADVANCE DATATYPE V R IDSS DS(on) DCONTSTN2N06 60 V
stn2nf10.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
STN2NF10N-channel 100V - 0.23 - 2.4A - SOT-223STripFET II Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) IDSTN2NF10 100V
stn2nf10.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETSTN2NF10 (KTN2NF10)Unit:mmSOT-2236.500.23.000.1 Features4 VDS (V) = 100V ID = 2.4 A (VGS = 10V) RDS(ON) 260m (VGS = 10V)1 2 3D0.2502.30 (typ)Gauge Plane1.GateG 2.Drain0.700.13.Source4.60 (typ)S 4.Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Vol
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .