STN3414. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STN3414

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 116 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm

Тип корпуса: SOT-23L

Аналог (замена) для STN3414

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STN3414 даташит

 ..1. Size:360K  semtron
 stn3414.pdf pdf_icon

STN3414

STN3414 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION FEATURE The STN3414 is the N-Channel logic enhancement 20V/5.0A, RDS(ON) =30m (typ.)@VGS =4.5V mode power field effect transistor is produced using 20V/4.5A, RDS(ON) =42m (typ.)@VGS =2.5V high cell density. advanced trench technology to 20V/3.8A, RDS(ON) =50m (typ.)@VGS =1.8V provide excellent RDS

 9.1. Size:368K  semtron
 stn3400a.pdf pdf_icon

STN3414

STN3400A 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION FEATURE The STN3400A is the N-Channel logic 30V/5.6A, RDS(ON) =28m (typ.)@VGS =10V enhancement mode power field effect transistor is 30V/5.0A, RDS(ON) =30m (typ.)@VGS =4.5V produced using high cell density. advanced trench 30V/3.2A, RDS(ON) =35m (typ.)@VGS =2.5V technology to provide excellent RDS

 9.2. Size:371K  semtron
 stn3404.pdf pdf_icon

STN3414

STN3404 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION FEATURE The STN3404 is the N-Channel logic enhancement 30V/6.0A, RDS(ON) =18m (typ.)@VGS =10V mode power field effect transistor is produced using 30V/4.8A, RDS(ON) =25m (typ.)@VGS =4.5V high cell density. advanced trench technology to provide excellent Super high density cell design for extremely l

 9.3. Size:372K  semtron
 stn3406.pdf pdf_icon

STN3414

STN3406 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION FEATURE The STN3406 is the N-Channel logic enhancement 30V/5.6A, RDS(ON) =23m (typ.)@VGS =10V mode power field effect transistor is produced using 30V/4.2A, RDS(ON) =35m (typ.)@VGS =4.5V high cell density. advanced trench technology to provide excellent Super high density cell design for extremely l

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STN2342, STN2342A, STN2NE10, STN2NE10L, STN3400, STN3400A, STN3404, STN3406, AO4407A, STN3446, STN3456, STN3P6F6, STN4102, STN410D, STN4110, STN4130, STN4186D