STN4822. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STN4822

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 145 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для STN4822

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STN4822 даташит

 ..1. Size:508K  stansontech
 stn4822.pdf pdf_icon

STN4822

STN4822 STN4822 STN4822 STN4822 Dual N Channel Enhancement Mode MOSFET 8.5A DESCRIPTION DESCRIPTION DESCRIPTION DESCRIPTION STN4822 is the Dual N-Channel logic enhancement mode power field effect transistors which are produced using high cell density DMOS trench technology. It is suitable for the power management applications in the portable or battery powered system. PIN CONFIGURA

 8.1. Size:681K  stansontech
 stn4826.pdf pdf_icon

STN4822

STN4826 Dual N Channel Enhancement Mode MOSFET 8.0A DESCRIPTION The STN4826 is the Dual N-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage application , notebook comput

 8.2. Size:506K  stansontech
 stn4828.pdf pdf_icon

STN4822

STN4828 Dual N Channel Enhancement Mode MOSFET 10.0A DESCRIPTION The STN4828 is the Dual N-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage application , notebook compu

 8.3. Size:952K  cn vbsemi
 stn4828.pdf pdf_icon

STN4822

STN4828 www.VBsemi.tw Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) 60 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.040 RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.055 ID (A) per leg 7 Configuration Dual SO-8 Dual D2 D1 D2 D2 5 D1 6 D1 7 8 G1 G2 4 G2 3 3 S1 S2 S2 S2 2 2 G G1 1 1 N-Channel MOSFET N-Channel

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STN4438, STN4440, STN4480, STN4488L, STN4526, STN4536, STN4546, STN454D, AON6414A, STN4826, STN4828, STN4842, STN484D, STN4850, STN4920, STN4946, STN4972