Справочник MOSFET. STN6303

 

STN6303 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STN6303
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 23 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 34 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: SOT-363
 

 Аналог (замена) для STN6303

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STN6303 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:557K  stansontech
 stn6303.pdf pdf_icon

STN6303

STN6303 Dual N Channel Enhancement Mode MOSFET 1.0ADESCRIPTION STN6303 is the dual N-Channel enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switching performance. These devices are particularly suited for low volta

Другие MOSFET... STN4828 , STN4842 , STN484D , STN4850 , STN4920 , STN4946 , STN4972 , STN5PF02V , IRFP260 , STN6562 , STN7400 , STN80T08 , STN8822 , STN8822A , STN8882D , STP100N10F7 , STP100N8F6 .

History: NP82N04PUG | PT4606 | AONR34332C | AUIRF8736M2TR | MTP4835Q8 | IPD90N06S4-05

 

 
Back to Top

 


 
.