STN6303. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STN6303

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 23 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 34 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: SOT-363

Аналог (замена) для STN6303

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STN6303 даташит

 ..1. Size:557K  stansontech
 stn6303.pdf pdf_icon

STN6303

STN6303 Dual N Channel Enhancement Mode MOSFET 1.0A DESCRIPTION STN6303 is the dual N-Channel enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switching performance. These devices are particularly suited for low volta

Другие IGBT... STN4828, STN4842, STN484D, STN4850, STN4920, STN4946, STN4972, STN5PF02V, 2SK3878, STN6562, STN7400, STN80T08, STN8822, STN8822A, STN8882D, STP100N10F7, STP100N8F6