STP100N10F7. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP100N10F7

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 823 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для STP100N10F7

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP100N10F7 даташит

 ..1. Size:1657K  st
stb100n10f7 std100n10f7 stf100n10f7 stf100n10f7 stp100n10f7.pdfpdf_icon

STP100N10F7

STB100N10F7, STD100N10F7, STF100N10F7, STP100N10F7 N-channel 100 V, 0.0068 typ., 80 A, STripFET VII DeepGATE Power MOSFET in D2PAK, DPAK, TO-220FP and TO-220 Datasheet - production data Features TAB TAB RDS(on) 3 Order codes VDS max ID PTOT 1 3 1 DPAK STB100N10F7 80 A 120 W D2PAK STD100N10F7 80 A 120W TAB 100 V 0.008 STF100N10F7 45 A 30 W STP100N10F7 80A 150 W

 ..2. Size:648K  st
stb100n10f7 std100n10f7 stf100n10f7 sti100n10f7 stp100n10f7.pdfpdf_icon

STP100N10F7

STB100N10F7, STD100N10F7, STF100N10F7 STI100N10F7, STP100N10F7 Datasheet N-channel 100 V, 6.8 m typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFETs in D2PAK, DPAK, TO-220FP, I2PAK and TO-220 packages TAB TAB Features 2 3 1 VDS RDS(on) max. ID Order codes Package 3 1 D2PAK DPAK STB100N10F7 80 A D2PAK TAB TAB STD100N10F7 80 A DPAK STF100N10F7 100 V 8.0 m 45 A TO-220FP 3 3 2 3 1 2

 ..3. Size:205K  inchange semiconductor
stp100n10f7.pdfpdf_icon

STP100N10F7

INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor STP100N10F7 FEATURES Very low on-resistance Very low gate charge 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage 100 V DSS V Gate-

 7.1. Size:460K  st
stb100nf03l-03-1 stb100nf03l-03t4 stb100nf03l-03 stb100nf03l-03-1 stp100nf03l-03.pdfpdf_icon

STP100N10F7

STP100NF03L-03 STB100NF03L-03 STB100NF03L-03-1 N-channel 30V - 0.0026 - 100A - D2PAK/I2/TO-220 STripFET III Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB100NF03L-03 30V

Другие IGBT... STN5PF02V, STN6303, STN6562, STN7400, STN80T08, STN8822, STN8822A, STN8882D, K3569, STP100N8F6, STP1013, STP105N3LL, STP10N105K5, STP10N60M2, STP10N65K3, STP10N95K5, STP10NK50Z