STP110N8F6. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP110N8F6

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 61 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для STP110N8F6

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP110N8F6 даташит

 ..1. Size:551K  st
 stp110n8f6.pdf pdf_icon

STP110N8F6

STP110N8F6 N-channel 80 V, 0.0056 typ.,110 A, STripFET F6 Power MOSFET in a TO-220 package Datasheet - production data Features Order code VDS RDS(on)max ID PTOT TAB STP110N8F6 80 V 0.0065 110 A 200 W Very low on-resistance 3 2 1 Very low gate charge TO-220 High avalanche ruggedness Low gate drive power loss Applications Figure 1. Internal schemat

 ..2. Size:227K  inchange semiconductor
 stp110n8f6.pdf pdf_icon

STP110N8F6

INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor STP110N8F6 FEATURES Very low on-resistance Very low gate charge High avalanche ruggedness Low gate drive power loss 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMET

 5.1. Size:681K  st
 stp110n8f7.pdf pdf_icon

STP110N8F6

STP110N8F7 N-channel 80 V, 6.4 m typ., 80 A, STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220 package Datasheet - production data Features Order code VDS RDS(on)max ID PTOT STP110N8F7 80 V 7.5 m 80 A 170 W Among the lowest RDS(on) on the market Excellent figure of merit (FoM) Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity High avalanche ruggedness Applications Swit

 7.1. Size:626K  1
 stp110n7f6.pdf pdf_icon

STP110N8F6

STP110N7F6 N-channel 68 V, 0.0055 typ., 110 A, STripFET F6 Power MOSFET in a TO-220 package Datasheet - production data Features Order code VDS RDS(on)max. ID PTOT TAB STP110N7F6 68 V 0.0065 110 A 176 W Very low on-resistance 3 2 1 Very low gate charge TO-220 High avalanche ruggedness Low gate drive power loss Applications Figure 1. Internal schem

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STP10N60M2, STP10N65K3, STP10N95K5, STP10NK50Z, STP10NK60ZFP, STP10P6F6, STP110N10F7, STP110N55F6, IRF530, STP11N65M2, STP11N65M5, STP11NM60A, STP11NM60FDFP, STP11NM60FP, STP11NM60N, STP11NM65N, STP120NH03L