STP110N8F6 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STP110N8F6
Маркировка: 110N8F6
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 80 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 110 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 150 nC
Время нарастания (tr): 61 ns
Выходная емкость (Cd): 320 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0065 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для STP110N8F6
STP110N8F6 Datasheet (PDF)
stp110n8f6.pdf
STP110N8F6N-channel 80 V, 0.0056 typ.,110 A, STripFET F6 Power MOSFET in a TO-220 packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS RDS(on)max ID PTOTTABSTP110N8F6 80 V 0.0065 110 A 200 W Very low on-resistance 321 Very low gate charge TO-220 High avalanche ruggedness Low gate drive power lossApplicationsFigure 1. Internal schemat
stp110n8f6.pdf
INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor STP110N8F6FEATURESVery low on-resistanceVery low gate chargeHigh avalanche ruggednessLow gate drive power loss100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMET
stp110n8f7.pdf
STP110N8F7 N-channel 80 V, 6.4 m typ., 80 A, STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220 package Datasheet - production data Features Order code VDS RDS(on)max ID PTOT STP110N8F7 80 V 7.5 m 80 A 170 W Among the lowest RDS(on) on the market Excellent figure of merit (FoM) Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity High avalanche ruggedness Applications Swit
stp110n7f6.pdf
STP110N7F6N-channel 68 V, 0.0055 typ., 110 A, STripFET F6 Power MOSFET in a TO-220 packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS RDS(on)max. ID PTOTTABSTP110N7F6 68 V 0.0065 110 A 176 W Very low on-resistance 321 Very low gate charge TO-220 High avalanche ruggedness Low gate drive power lossApplicationsFigure 1. Internal schem
stp110n7f6.pdf
STP110N7F6N-channel 68 V, 0.0055 typ., 110 A, STripFET F6 Power MOSFET in a TO-220 packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS RDS(on)max. ID PTOTTABSTP110N7F6 68 V 0.0065 110 A 176 W Very low on-resistance 321 Very low gate charge TO-220 High avalanche ruggedness Low gate drive power lossApplicationsFigure 1. Internal schem
stp110n55f6.pdf
STP110N55F6N-channel 55 V, 4.5 typ., 110 A STripFET F6 Power MOSFET in a TO-220 packageDatasheet - production dataFeatures Order code VDS RDS(on) max. IDTABSTP110N55F6 55 V 5.2 m 110 A Low gate charge Very low on-resistance321 High avalanche ruggednessTO-220Applications Switching applicationsDescriptionFigure 1. Internal schematic diagr
stf110n10f7 stp110n10f7.pdf
STF110N10F7, STP110N10F7N-channel 100 V, 5.1 m typ., 110 A, STripFET VII DeepGATE Power MOSFETs in TO-220FP and TO-220 packagesDatasheet - production dataFeatures Order codes VDS RDS(on) max ID PTOTSTF110N10F7 45 A 30 WTAB100 V 0.007 STP110N10F7 110 A 150 W Ultra low on-resistance3 32 21 1 100% avalanche testedTO-220FP TO-220Applications Sw
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRFP250N , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: NCE65TF130T | LTP70N06P | HY3506B | HY3506P | DP3080 | CRSS035N10N | CRST037N10N | S85N16S | S85N16RP | S85N16RN | S85N16R | S85N048S | S85N042S | S85N042RP | S85N042RN | S85N042R