STP2305. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP2305

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для STP2305

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP2305 даташит

 ..1. Size:374K  semtron
 stp2305.pdf pdf_icon

STP2305

STP2305 -30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION FEATURE The STP2305 is the P-Channel logic enhancement -30V/-4.3A, RDS(ON) =55m (typ.)@VGS =-10V mode power field effect transistor is produced using -30V/-3.5A, RDS(ON) =65m (typ.)@VGS =-4.5V high cell density. advanced trench technology to -30V/-2.5A, RDS(ON) =87m (typ.)@VGS =-2.5V provide exce

 8.1. Size:371K  semtron
 stp2301.pdf pdf_icon

STP2305

STP2301 -20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION FEATURE The STP2301 is the P-Channel logic enhancement -20V/-3.0A, RDS(ON) =80m (typ.)@VGS =-4.5V mode power field effect transistor is produced using -20V/-2.0A, RDS(ON) =105m (typ.)@VGS =-2.5V high cell density. advanced trench technology to provide excellent RDS(ON). .low gate charge and Super h

 9.1. Size:560K  st
 stb23nm60n stf23nm60n sti23nm60n stp23nm60n stw23nm60n.pdf pdf_icon

STP2305

STB23NM60N-STF23NM60N STI23NM60N-STP23NM60N-STW23NM60N N-channel 600 V - 0.150 - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO-220/FP TO-247, second generation MDmesh Power MOSFET Features VDSS RDS(on) Type ID 3 (@Tjmax) max 3 1 2 1 STB23NM60N 19 A D PAK I PAK STI23NM60N 19 A 3 STF23NM60N 650 V 0.180 19 A (1) 2 1 STP23NM60N 19 A TO-247 STW23NM60N 19 A 3 3 2 2 1 1 1. Limited

 9.2. Size:814K  st
 stb23nm60nd sti23nm60nd stf23nm60nd stp23nm60nd stw23nm60nd.pdf pdf_icon

STP2305

STx23NM60ND N-channel 600 V, 0.150 , 19.5 A, FDmesh II Power MOSFET (with fast diode) D PAK, I PAK, TO-220, TO-220FP, TO-247 Features VDSS RDS(on) Type ID 3 max. 3 (@Tjmax) 1 2 1 STx23NM60ND 650 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STP20N65M5, STP20NE06L, STP20NE06LFP, STP20NM50FP, STP20NM60A, STP21NM50N, STP21NM60N, STP2301, IRFP260N, STP23NM60N, STP240N10F7, STP24N60DM2, STP24N60M2, STP24N65M2, STP25N10F7, STP25N80K5, STP25NM50N