Справочник MOSFET. STP2305

 

STP2305 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STP2305
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для STP2305

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP2305 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:374K  semtron
stp2305.pdfpdf_icon

STP2305

STP2305 -30V P-Channel Enhancement Mode MOSFETDESCRIPTIONFEATUREThe STP2305 is the P-Channel logic enhancement -30V/-4.3A, RDS(ON) =55m(typ.)@VGS =-10V mode power field effect transistor is produced using -30V/-3.5A, RDS(ON) =65m(typ.)@VGS =-4.5V high cell density. advanced trench technology to -30V/-2.5A, RDS(ON) =87m(typ.)@VGS =-2.5V provide exce

 8.1. Size:371K  semtron
stp2301.pdfpdf_icon

STP2305

STP2301 -20V P-Channel Enhancement Mode MOSFETDESCRIPTIONFEATUREThe STP2301 is the P-Channel logic enhancement -20V/-3.0A, RDS(ON) =80m(typ.)@VGS =-4.5V mode power field effect transistor is produced using -20V/-2.0A, RDS(ON) =105m(typ.)@VGS =-2.5V high cell density. advanced trench technology to provide excellent RDS(ON). .low gate charge and Super h

 9.1. Size:560K  st
stb23nm60n stf23nm60n sti23nm60n stp23nm60n stw23nm60n.pdfpdf_icon

STP2305

STB23NM60N-STF23NM60NSTI23NM60N-STP23NM60N-STW23NM60NN-channel 600 V - 0.150 - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO-220/FPTO-247, second generation MDmesh Power MOSFETFeaturesVDSS RDS(on) Type ID3(@Tjmax) max31 21STB23NM60N 19 ADPAKIPAKSTI23NM60N 19 A3STF23NM60N 650 V 0.180 19 A (1)21STP23NM60N 19 ATO-247STW23NM60N 19 A3 32 21 11. Limited

 9.2. Size:814K  st
stb23nm60nd sti23nm60nd stf23nm60nd stp23nm60nd stw23nm60nd.pdfpdf_icon

STP2305

STx23NM60NDN-channel 600 V, 0.150 , 19.5 A, FDmesh II Power MOSFET(with fast diode) DPAK, IPAK, TO-220, TO-220FP, TO-247FeaturesVDSS RDS(on) Type ID3max.3(@Tjmax)1 21STx23NM60ND 650 V

Другие MOSFET... STP20N65M5 , STP20NE06L , STP20NE06LFP , STP20NM50FP , STP20NM60A , STP21NM50N , STP21NM60N , STP2301 , 10N60 , STP23NM60N , STP240N10F7 , STP24N60DM2 , STP24N60M2 , STP24N65M2 , STP25N10F7 , STP25N80K5 , STP25NM50N .

History: STB14NM50N | WMO15N25T2

 

 
Back to Top

 


 
.