Справочник MOSFET. STP2305

 

STP2305 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STP2305
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 6.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 16.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23

 Аналог (замена) для STP2305

 

 

STP2305 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:374K  semtron
 stp2305.pdf

STP2305 STP2305

STP2305 -30V P-Channel Enhancement Mode MOSFETDESCRIPTIONFEATUREThe STP2305 is the P-Channel logic enhancement -30V/-4.3A, RDS(ON) =55m(typ.)@VGS =-10V mode power field effect transistor is produced using -30V/-3.5A, RDS(ON) =65m(typ.)@VGS =-4.5V high cell density. advanced trench technology to -30V/-2.5A, RDS(ON) =87m(typ.)@VGS =-2.5V provide exce

 8.1. Size:371K  semtron
 stp2301.pdf

STP2305 STP2305

STP2301 -20V P-Channel Enhancement Mode MOSFETDESCRIPTIONFEATUREThe STP2301 is the P-Channel logic enhancement -20V/-3.0A, RDS(ON) =80m(typ.)@VGS =-4.5V mode power field effect transistor is produced using -20V/-2.0A, RDS(ON) =105m(typ.)@VGS =-2.5V high cell density. advanced trench technology to provide excellent RDS(ON). .low gate charge and Super h

 9.1. Size:560K  st
 stb23nm60n stf23nm60n sti23nm60n stp23nm60n stw23nm60n.pdf

STP2305 STP2305

STB23NM60N-STF23NM60NSTI23NM60N-STP23NM60N-STW23NM60NN-channel 600 V - 0.150 - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO-220/FPTO-247, second generation MDmesh Power MOSFETFeaturesVDSS RDS(on) Type ID3(@Tjmax) max31 21STB23NM60N 19 ADPAKIPAKSTI23NM60N 19 A3STF23NM60N 650 V 0.180 19 A (1)21STP23NM60N 19 ATO-247STW23NM60N 19 A3 32 21 11. Limited

 9.2. Size:814K  st
 stb23nm60nd sti23nm60nd stf23nm60nd stp23nm60nd stw23nm60nd.pdf

STP2305 STP2305

STx23NM60NDN-channel 600 V, 0.150 , 19.5 A, FDmesh II Power MOSFET(with fast diode) DPAK, IPAK, TO-220, TO-220FP, TO-247FeaturesVDSS RDS(on) Type ID3max.3(@Tjmax)1 21STx23NM60ND 650 V

 9.3. Size:558K  st
 stb23nm60n stf23nm60n sti23nm60n stp23nm60n stw23nm60n.pdf

STP2305 STP2305

STB23NM60N-STF23NM60NSTI23NM60N-STP23NM60N-STW23NM60NN-channel 600 V - 0.150 - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO-220/FPTO-247, second generation MDmesh Power MOSFETFeaturesVDSS RDS(on) Type ID3(@Tjmax) max31 21STB23NM60N 19 ADPAKIPAKSTI23NM60N 19 A3STF23NM60N 650 V 0.180 19 A (1)21STP23NM60N 19 ATO-247STW23NM60N 19 A3 32 21 11. Limited

 9.4. Size:716K  st
 stp23n80k5.pdf

STP2305 STP2305

STP23N80K5 N-channel 800 V, 0.23 typ., 16 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOTSTP23N80K5 800 V 0.28 16 A 190 W Industrys lowest R x area DS(on) Industrys best figure of merit (FoM) Ultra low gate charge 100% avalanche tested Zener-protected Applicat

 9.5. Size:757K  st
 stb23nm50n stf23nm50n stp23nm50n stw23nm50n.pdf

STP2305 STP2305

STB23NM50N, STF23NM50NSTP23NM50N, STW23NM50NN-channel 500 V, 0.162 , 17 A TO-220, TO-220FP, TO-247, D2PAKMDmesh II Power MOSFETFeaturesVDSS RDS(on) Type ID(@Tjmax) max33221STB23NM50N1TO-220FP TO-220STF23NM50N550 V

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , STP80NF70 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top