STP25N80K5 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STP25N80K5
Маркировка: 25N80K5
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 250 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 19.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 40 nC
Время нарастания (tr): 13 ns
Выходная емкость (Cd): 130 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.26 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для STP25N80K5
STP25N80K5 Datasheet (PDF)
stb25n80k5 stf25n80k5 stp25n80k5 stw25n80k5.pdf
STB25N80K5, STF25N80K5, STP25N80K5, STW25N80K5N-channel 800 V, 0.19 typ., 19.5 A MDmesh K5 Power MOSFETs in D2PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet - production dataFeaturesTABVDS @ RDS(on) Order code ID PTOTTJmax max3312STB25N80K5 250 W1D2PAKTO-220FPSTF25N80K5 40 WTAB800 V
std25n10f7 stf25n10f7 stp25n10f7.pdf
STD25N10F7, STF25N10F7, STP25N10F7N-channel 100 V, 0.027 typ., 25 A, STripFET VII DeepGATE Power MOSFET in DPAK, TO-220FP and TO-220 packagesDatasheet - production dataFeaturesTABRDS(on) Order codes VDSS ID PTOTmax.(1)DPAKSTD25N10F7 100 V 0.035 25 A 40 WSTF25N10F7 100 V 0.035 19 A 25 WTABSTP25N10F7 100 V 0.035 25 A 50 W1. @ VGS = 10 V 33
stb25nm60n-1 stb25nm60n stf25nm60n stp25nm60n stw25nm60n.pdf
STB25NM60Nx - STF25NM60NSTP25NM60N - STW25NM60NN-channel 600 V, 0.130 , 21 A, MDmesh II Power MOSFETTO-220, TO-220FP, I2PAK, D2PAK, TO-247FeaturesVDSS RDS(on) Type ID(@Tjmax) max332211STB25NM60N 650 V
stb25nm50n stf25nm50n stp25nm50n stw25nm50n.pdf
STx25NM50NN-channel 500 V, 0.11 , 22 A MDmesh II Power MOSFETTO-220, TO-220FP, I2PAK, D2PAK, TO-247FeaturesVDSS RDS(on) Type ID(@Tjmax) max323121STB25NM50N 550 V
stp25n06.pdf
STP25N06STP25N06FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP25N06 60 V
stb25nm60nd sti25nm60nd stf25nm60nd stp25nm60nd stw25nm60nd.pdf
STx25NM60NDN-channel 600 V, 0.13 , 21 A FDmesh II Power MOSFETD2PAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247FeaturesVDSS @ Type RDS(on) max IDTJMAX 33 13221STB25NM60ND 21 A 1D2PAKTO-220STI25NM60ND 21 ATO-220FPSTF25NM60ND 650 V 0.16 21 A(1)STP25NM60ND 21 ASTW25NM60ND 21 A1. Limited only by maximum temperature allowed323121 The worldwide
stb25nm60nx stf25nm60n stp25nm60n stw25nm60n.pdf
STB25NM60Nx - STF25NM60NSTP25NM60N - STW25NM60NN-channel 600 V, 0.130 , 21 A, MDmesh II Power MOSFETTO-220, TO-220FP, I2PAK, D2PAK, TO-247FeaturesVDSS RDS(on) Type ID(@Tjmax) max332211STB25NM60N 650 V
stp25nm50n.pdf
STP25NM50N - STF25NM50NSTB25NM50N/-1 - STW25NM50NN-CHANNEL 500V 0.11 - 22 A TO-220/FP/D/IPAK/TO-247SECOND GENERATION MDmesh MOSFETTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VDSS (@TjMAX) ID RDS(on)STB25NM50N-1 550V 22 A 0.140 STF25NM50N 550V 22 A(*) 0.140 332 2STP25NM50N 550V 22 A 0.140 11STW25NM50N 550V 22 A 0.140 TO-220IPAKSTB25N
stp25n10f7.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor STP25N10F7FEATURESDrain Current I = 25A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 100V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.035(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONThese devices utilize the 7th generation of design rules of S
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: OSG65R099PT3ZF | MTE65N20F3
