Справочник MOSFET. IRFR3704PBF

 

IRFR3704PBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFR3704PBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 98 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1085 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm
   Тип корпуса: TO-252AA
 

 Аналог (замена) для IRFR3704PBF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFR3704PBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:221K  international rectifier
 irfr3704pbf irfu3704pbf.pdf pdf_icon

IRFR3704PBF

PD - 95034AIRFR3704PbFSMPS MOSFETIRFU3704PbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl High Frequency DC-DC IsolatedVDSS RDS(on) max IDConverters with Synchronous Rectification 20V 9.5m 75Afor Telecom and Industrial usel High Frequency Buck Converters forComputer Processor Powerl 100% RG Testedl Lead-FreeBenefitsl Ultra-Low RDS(on)l Very Low Gate Impedancel Fully

 6.1. Size:266K  international rectifier
 irfr3704zpbf irfu3704zpbf.pdf pdf_icon

IRFR3704PBF

PD - 95442AIRFR3704ZPbFIRFU3704ZPbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl High Frequency Synchronous BuckConverters for Computer Processor PowerVDSS RDS(on) maxQgl High Frequency Isolated DC-DC Converters with Synchronous Rectification20V 8.4m 9.3nC for Telecom and Industrial Usel Lead-FreeBenefitsl Very Low RDS(on) at 4.5V VGSl Ultra-Low Gate ImpedanceD-PakI-Pak

 6.2. Size:156K  international rectifier
 irfr3704 irfu3704.pdf pdf_icon

IRFR3704PBF

PD - 93887DIRFR3704SMPS MOSFETIRFU3704ApplicationsHEXFET Power MOSFETl High Frequency DC-DC IsolatedVDSS RDS(on) max IDConverters with Synchronous Rectification 20V 9.5m 75Afor Telecom and Industrial usel High Frequency Buck Converters for Computer Processor Powerl 100% RG TestedBenefitsl Ultra-Low RDS(on)l Very Low Gate Impedancel Fully Characterized Aval

 6.3. Size:243K  inchange semiconductor
 irfr3704z.pdf pdf_icon

IRFR3704PBF

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFR3704Z, IIRFR3704ZFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)8.4mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh Frequency Synchronous Buck ConvertersABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-So

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFR3412PBF , IRFR3418PBF , IRFR3504PBF , IRFR3504ZPBF , IRFR3505PBF , IRFR3518PBF , IRFR3607PBF , IRFR3704 , AON7410 , IRFR3704ZPBF , IRFR3706 , IRFR3706CPBF , IRFR3706PBF , IRFR3707 , IRFR3707PBF , IRFR3708PBF , IRFR3709ZPBF .

History: WMS09N06TS | IRF7343PBF | TPA120R800A | IRF7101PBF | KF10N60P | IPI50N12S3L-15 | MTD20N03HDLT4G

 

 
Back to Top

 


 
.