IRFR3708PBF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFR3708PBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 87 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 61 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 707 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0125 Ohm

Тип корпуса: TO-252AA

Аналог (замена) для IRFR3708PBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFR3708PBF даташит

 ..1. Size:220K  international rectifier
 irfr3708pbf irfu3708pbf.pdf pdf_icon

IRFR3708PBF

PD - 95071A IRFR3708PbF SMPS MOSFET IRFU3708PbF HEXFET Power MOSFET Applications l High Frequency DC-DC Isolated Converters VDSS RDS(on) max ID with Synchronous Rectification for Telecom 30V 12.5m 61A and Industrial Use l High Frequency Buck Converters for Computer Processor Power l Lead-Free Benefits l Ultra-Low Gate Impedance l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS D-Pak I-P

 6.1. Size:129K  international rectifier
 irfr3708.pdf pdf_icon

IRFR3708PBF

PD - 93935B IRFR3708 SMPS MOSFET IRFU3708 HEXFET Power MOSFET Applications High Frequency DC-DC Isolated Converters VDSS RDS(on) max ID with Synchronous Rectification for Telecom 30V 12.5m 61A and Industrial Use High Frequency Buck Converters for Computer Processor Power Benefits Ultra-Low Gate Impedance Very Low RDS(on) at 4.5V VGS Fully Characterized Avalanche Vol

 6.2. Size:2739K  cn vbsemi
 irfr3708tr.pdf pdf_icon

IRFR3708PBF

IRFR3708TR www.VBsemi.tw N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU 0.005 at VGS = 10 V 80 30 31 nC 0.006 at VGS = 4.5 V 68 APPLICATIONS D OR-ing TO-252 Server DC/DC G G D S Top View S N-Channel MOSFET ABSO

 6.3. Size:243K  inchange semiconductor
 irfr3708.pdf pdf_icon

IRFR3708PBF

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFR3708, IIRFR3708 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 12.5m Enhancement mode 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION High Frequency Synchronous Buck Converters For Computer Processor Power ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PAR

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFR3704, IRFR3704PBF, IRFR3704ZPBF, IRFR3706, IRFR3706CPBF, IRFR3706PBF, IRFR3707, IRFR3707PBF, IRF1010E, IRFR3709ZPBF, IRFR3710ZPBF, IRFR3711, IRFR3711PBF, IRFR3711ZCPBF, IRFR3711ZPBF, IRFR3806PBF, IRFR3910PBF