Справочник MOSFET. IRFR3709ZPBF

 

IRFR3709ZPBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFR3709ZPBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 79 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 86 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
   Тип корпуса: TO-252AA
 

 Аналог (замена) для IRFR3709ZPBF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFR3709ZPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:265K  international rectifier
irfr3709zpbf irfu3709zpbf.pdfpdf_icon

IRFR3709ZPBF

PD - 95072AIRFR3709ZPbFIRFU3709ZPbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl High Frequency Synchronous BuckVDSS RDS(on) maxQgConverters for Computer Processor Powerl High Frequency Isolated DC-DC30V 6.5m 17nC Converters with Synchronous Rectification for Telecom and Industrial Usel Lead-FreeBenefitsl Very Low RDS(on) at 4.5V VGSl Ultra-Low Gate Impedancel Fully Chara

 5.1. Size:300K  international rectifier
irfr3709zcpbf irfu3709zcpbf.pdfpdf_icon

IRFR3709ZPBF

PD - 96046IRFR3709ZCPbFIRFU3709ZCPbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl High Frequency Synchronous BuckVDSS RDS(on) maxQgConverters for Computer Processor Powerl High Frequency Isolated DC-DC30V 6.5m 17nC Converters with Synchronous Rectification for Telecom and Industrial Usel Lead-FreeBenefitsl Very Low RDS(on) at 4.5V VGSl Ultra-Low Gate Impedancel Fully Char

 5.2. Size:1606K  cn vbsemi
irfr3709zt.pdfpdf_icon

IRFR3709ZPBF

IRFR3709ZTwww.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.002 at VGS = 10 V 10030 72 nC0.003 at VGS = 4.5 V 90APPLICATIONSD OR-ing ServerTO-252 DC/DCGG D STop ViewSN-Channel MOSFETAB

 5.3. Size:846K  cn vbsemi
irfr3709ztr.pdfpdf_icon

IRFR3709ZPBF

IRFR3709ZTRwww.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.002 at VGS = 10 V 10030 72 nC0.003 at VGS = 4.5 V 90APPLICATIONSD OR-ing ServerTO-252 DC/DCGG D STop ViewSN-Channel MOSFETA

Другие MOSFET... IRFR3704PBF , IRFR3704ZPBF , IRFR3706 , IRFR3706CPBF , IRFR3706PBF , IRFR3707 , IRFR3707PBF , IRFR3708PBF , AON7506 , IRFR3710ZPBF , IRFR3711 , IRFR3711PBF , IRFR3711ZCPBF , IRFR3711ZPBF , IRFR3806PBF , IRFR3910PBF , IRFR3911PBF .

History: FQD8P10TM-F085 | AOB9N70 | SSB80R160SFD | SSF90R240S2 | NCE30P10S | NTPF082N65S3F

 

 
Back to Top

 


 
.