STP31N65M5 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STP31N65M5
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.148 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для STP31N65M5
STP31N65M5 Datasheet (PDF)
stb31n65m5 stf31n65m5 stp31n65m5 stw31n65m5.pdf
STB31N65M5, STF31N65M5STP31N65M5, STW31N65M5DatasheetN-channel 650 V, 0.124 , 22 A, MDmesh M5 Power MOSFETs in D2PAK, TO220FP, TO220 and TO-247 packagesFeaturesTABVDS @ TJMAX RDS(on ) max. IDOrder code Package3132STB31N65M5D2PAKD PAK 21TO-220FPSTF31N65M5 TO-220FPTAB710 V 0.148 22 ASTP31N65M5 TO-220STW31N65M5 TO-247332TO-220 2TO-24
stb31n65m5 stf31n65m5 stfi31n65m5 stp31n65m5 stw31n65m5.pdf
STB31N65M5, STF31N65M5, STFI31N65M5, STP31N65M5, STW31N65M5N-channel 650 V, 0.124 typ., 22 A MDmesh V Power MOSFET in D2PAK, TO-220FP, I2PakFP, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet - production dataFeaturesTABOrder codes VDSS @ TJmax RDS(on) max ID231STB31N65M53TAB 2D2PAK1STF31N65M5TO-220FPSTFI31N65M5 710 V
stp310n10f7.pdf
STP310N10F7N-channel 100 V, 2.3 m typ., 180 A STripFET VII DeepGATE Power MOSFET in a TO-220 packageDatasheet - production dataFeaturesVDS RDS(on) max. IDOrder codeTABSTP310N10F7 100 V 2.7 m 180 A Ultra low on-resistance 100% avalanche tested321ApplicationsTO-220 Switching applicationsDescriptionFigure 1. Internal schematic diagramThis de
stp315n10f7.pdf
STP315N10F7Automotive-grade N-channel 100 V, 2.3 m typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220 packageDatasheet - production dataFeaturesVDS RDS(on) max. IDOrder codeTABSTP315N10F7 100 V 2.7 m 180 A Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified32 Among the lowest RDS(on) on the market1 Excellent figure of merit (FoM)TO-220
stp315n10f7.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor STP315N10F7FEATURESDrain Current : I = 180A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 100V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 2.7m(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand s
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918