Справочник MOSFET. STP32NM50N

 

STP32NM50N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STP32NM50N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 179 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для STP32NM50N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP32NM50N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1168K  st
 stb32nm50n stf32nm50n stp32nm50n stw32nm50n.pdf pdf_icon

STP32NM50N

STB32NM50N, STF32NM50N,STP32NM50N, STW32NM50NN-channel 500 V, 0.1 typ., 22 A MDmesh II Power MOSFET in DPAK, TO-220FP, TO-220, TO-247 packagesDatasheet production dataFeaturesTABRDS(on) Order codes VDS ID PTOT2max.3132STB32NM50N 190 W1DPAKTO-220FPSTF32NM50N 35 W500 V 0.13 22 ASTP32NM50N 190 WTABSTW32NM50N 190 W 100% avalanche t

 8.1. Size:201K  st
 stp32n06.pdf pdf_icon

STP32NM50N

STP32N06LSTP32N06LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTP32N06L 60 V

 8.2. Size:393K  st
 stp32n06l.pdf pdf_icon

STP32NM50N

STP32N06LSTP32N06LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP32N06L 60 V

 8.3. Size:393K  st
 stp32n05l.pdf pdf_icon

STP32NM50N

STP32N05LSTP32N05LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP32N05L 50 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STP2N95K5 , STP300NH02L , STP3052D , STP30NM60N , STP30NM60ND , STP310N10F7 , STP315N10F7 , STP31N65M5 , K2611 , STP33N60M2 , STP33N65M2 , STP3401 , STP3401A , STP3407 , STP3467 , STP3481 , STP34N65M5 .

History: IRL520LPBF | SWT18N50D

 

 
Back to Top

 


 
.