STP32NM50N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP32NM50N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 179 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для STP32NM50N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP32NM50N даташит

 ..1. Size:1168K  st
 stb32nm50n stf32nm50n stp32nm50n stw32nm50n.pdf pdf_icon

STP32NM50N

STB32NM50N, STF32NM50N, STP32NM50N, STW32NM50N N-channel 500 V, 0.1 typ., 22 A MDmesh II Power MOSFET in D PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247 packages Datasheet production data Features TAB RDS(on) Order codes VDS ID PTOT 2 max. 3 1 3 2 STB32NM50N 190 W 1 D PAK TO-220FP STF32NM50N 35 W 500 V 0.13 22 A STP32NM50N 190 W TAB STW32NM50N 190 W 100% avalanche t

 8.1. Size:201K  st
 stp32n06.pdf pdf_icon

STP32NM50N

STP32N06L STP32N06LFI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D STP32N06L 60 V

 8.2. Size:393K  st
 stp32n06l.pdf pdf_icon

STP32NM50N

STP32N06L STP32N06LFI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STP32N06L 60 V

 8.3. Size:393K  st
 stp32n05l.pdf pdf_icon

STP32NM50N

STP32N05L STP32N05LFI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STP32N05L 50 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STP2N95K5, STP300NH02L, STP3052D, STP30NM60N, STP30NM60ND, STP310N10F7, STP315N10F7, STP31N65M5, 8N60, STP33N60M2, STP33N65M2, STP3401, STP3401A, STP3407, STP3467, STP3481, STP34N65M5