Справочник MOSFET. STP360N4F6

 

STP360N4F6 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STP360N4F6
   Маркировка: 360N4F6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 300 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 120 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 340 nC
   Выходная емкость (Cd): 1560 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0018 Ohm
   Тип корпуса: TO-220

 Аналог (замена) для STP360N4F6

 

 

STP360N4F6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:176K  st
sti360n4f6 stp360n4f6.pdf

STP360N4F6
STP360N4F6

STI360N4F6, STP360N4F6N-channel 40 V, 120 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in IPAK and TO-220 packagesDatasheet - preliminary dataFeaturesRDS(on) Order codes VDSS max IDTABTABSTI360N4F640 V

 9.1. Size:444K  st
stp36nf06l stb36nf06l.pdf

STP360N4F6
STP360N4F6

STP36NF06LSTB36NF06LN-channel 60V - 0.032 - 30A - TO-220 - D2PAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTP36NF06L 60V

 9.2. Size:396K  st
stp36n05l.pdf

STP360N4F6
STP360N4F6

STP36N05LSTP36N05LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP36N05L 50 V

 9.3. Size:414K  st
stp36n06.pdf

STP360N4F6
STP360N4F6

STP36N06STP36N06FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP36N06 60 V

 9.4. Size:229K  st
stp36ne06 stp36ne06fp.pdf

STP360N4F6
STP360N4F6

STP36NE06STP36NE06FPN - CHANNEL 60V - 0.032 - 36A - TO-220/TO-220FPSTripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP36NE06 60 V

 9.5. Size:330K  st
stp36nf06 stp36nf06fp.pdf

STP360N4F6
STP360N4F6

STP36NF06STP36NF06FPN-channel 60V - 0.032 - 30A - TO-220/TO-220FPSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTP36NF06 60V

 9.6. Size:349K  st
stp36ne06.pdf

STP360N4F6
STP360N4F6

STP36NE06STP36NE06FPN - CHANNEL 60V - 0.032 - 36A - TO-220/TO-220FPSTripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP36NE06 60 V

 9.7. Size:401K  st
stp36n06l.pdf

STP360N4F6
STP360N4F6

STP36N06LSTP36N06LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP36N05L 60 V

 9.8. Size:112K  st
stp36ne06-.pdf

STP360N4F6
STP360N4F6

STP36NE06STP36NE06FP N - CHANNEL 60V - 0.032 - 36A - TO-220/TO-220FPSTripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP36NE06 60 V

 9.9. Size:204K  st
stp36n05.pdf

STP360N4F6
STP360N4F6

STP36N05LSTP36N05LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTP36N05L 50 V

 9.10. Size:102K  st
stp36nf03l.pdf

STP360N4F6
STP360N4F6

STP36NF03LN-CHANNEL 30V - 0.015 - 40A TO-220LOW GATE CHARGE STripFETII POWER MOSFETPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTP36NF03L 30 V

 9.11. Size:415K  st
stp36n60m6 stw36n60m6.pdf

STP360N4F6
STP360N4F6

STP36N60M6, STW36N60M6N-channel 600 V, 85 m typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFETs in TO-220 and TO-247 packages Datasheet - production data Features TABOrder code V R max. I DS DS(on) DSTP36N60M6 600 V 99 m 30 A STW36N60M6 33 Reduced switching losses 221 Lower R x area vs previous generation DS(on)1 Low gate input resistance 100% avalanche tested

 9.12. Size:759K  st
stp36n55m5 stw36n55m5.pdf

STP360N4F6
STP360N4F6

STP36N55M5 STW36N55M5N-channel 550 V, 0.06 typ., 33 A MDmesh V Power MOSFET in TO-220 and TO-247 packagesDatasheet production dataFeaturesVDSS @ RDS(on) Order codes IDTJmax maxTABSTP36N55M5600 V

 9.13. Size:328K  st
stp36nf06fp.pdf

STP360N4F6
STP360N4F6

STP36NF06STP36NF06FPN-channel 60V - 0.032 - 30A - TO-220/TO-220FPSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTP36NF06 60V

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top