Справочник MOSFET. STP360N4F6

 

STP360N4F6 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STP360N4F6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1560 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0018 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STP360N4F6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:176K  st
sti360n4f6 stp360n4f6.pdfpdf_icon

STP360N4F6

STI360N4F6, STP360N4F6N-channel 40 V, 120 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in IPAK and TO-220 packagesDatasheet - preliminary dataFeaturesRDS(on) Order codes VDSS max IDTABTABSTI360N4F640 V

 9.1. Size:444K  st
stp36nf06l stb36nf06l.pdfpdf_icon

STP360N4F6

STP36NF06LSTB36NF06LN-channel 60V - 0.032 - 30A - TO-220 - D2PAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTP36NF06L 60V

 9.2. Size:396K  st
stp36n05l.pdfpdf_icon

STP360N4F6

STP36N05LSTP36N05LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP36N05L 50 V

 9.3. Size:414K  st
stp36n06.pdfpdf_icon

STP360N4F6

STP36N06STP36N06FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP36N06 60 V

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: TK3R3E03GL | SIHG47N60S | SSF2810EH2 | HGI110N08AL | STB34NM60N | AP6P025I | 9N95

 

 
Back to Top

 


 
.