STP360N4F6 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STP360N4F6
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 1560 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0018 Ohm
Тип корпуса: TO-220
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
STP360N4F6 Datasheet (PDF)
sti360n4f6 stp360n4f6.pdf

STI360N4F6, STP360N4F6N-channel 40 V, 120 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in IPAK and TO-220 packagesDatasheet - preliminary dataFeaturesRDS(on) Order codes VDSS max IDTABTABSTI360N4F640 V
stp36nf06l stb36nf06l.pdf

STP36NF06LSTB36NF06LN-channel 60V - 0.032 - 30A - TO-220 - D2PAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTP36NF06L 60V
stp36n05l.pdf

STP36N05LSTP36N05LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP36N05L 50 V
stp36n06.pdf

STP36N06STP36N06FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP36N06 60 V
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: TK3R3E03GL | SIHG47N60S | SSF2810EH2 | HGI110N08AL | STB34NM60N | AP6P025I | 9N95
History: TK3R3E03GL | SIHG47N60S | SSF2810EH2 | HGI110N08AL | STB34NM60N | AP6P025I | 9N95



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
bu508a | bc560c | ksa1220ay | irf 830 | mpsa56 transistor | transistor 2222a | 8050 transistor | bc238