STP360N4F6 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STP360N4F6
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 1560 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0018 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для STP360N4F6
STP360N4F6 Datasheet (PDF)
sti360n4f6 stp360n4f6.pdf
STI360N4F6, STP360N4F6N-channel 40 V, 120 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in IPAK and TO-220 packagesDatasheet - preliminary dataFeaturesRDS(on) Order codes VDSS max IDTABTABSTI360N4F640 V
stp36nf06l stb36nf06l.pdf
STP36NF06LSTB36NF06LN-channel 60V - 0.032 - 30A - TO-220 - D2PAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTP36NF06L 60V
stp36n05l.pdf
STP36N05LSTP36N05LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP36N05L 50 V
stp36n06.pdf
STP36N06STP36N06FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP36N06 60 V
stp36ne06 stp36ne06fp.pdf
STP36NE06STP36NE06FPN - CHANNEL 60V - 0.032 - 36A - TO-220/TO-220FPSTripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP36NE06 60 V
stp36nf06 stp36nf06fp.pdf
STP36NF06STP36NF06FPN-channel 60V - 0.032 - 30A - TO-220/TO-220FPSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTP36NF06 60V
stp36ne06.pdf
STP36NE06STP36NE06FPN - CHANNEL 60V - 0.032 - 36A - TO-220/TO-220FPSTripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP36NE06 60 V
stp36n06l.pdf
STP36N06LSTP36N06LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP36N05L 60 V
stp36ne06-.pdf
STP36NE06STP36NE06FP N - CHANNEL 60V - 0.032 - 36A - TO-220/TO-220FPSTripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP36NE06 60 V
stp36n05.pdf
STP36N05LSTP36N05LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTP36N05L 50 V
stp36nf03l.pdf
STP36NF03LN-CHANNEL 30V - 0.015 - 40A TO-220LOW GATE CHARGE STripFETII POWER MOSFETPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTP36NF03L 30 V
stp36n60m6 stw36n60m6.pdf
STP36N60M6, STW36N60M6N-channel 600 V, 85 m typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFETs in TO-220 and TO-247 packages Datasheet - production data Features TABOrder code V R max. I DS DS(on) DSTP36N60M6 600 V 99 m 30 A STW36N60M6 33 Reduced switching losses 221 Lower R x area vs previous generation DS(on)1 Low gate input resistance 100% avalanche tested
stp36n55m5 stw36n55m5.pdf
STP36N55M5 STW36N55M5N-channel 550 V, 0.06 typ., 33 A MDmesh V Power MOSFET in TO-220 and TO-247 packagesDatasheet production dataFeaturesVDSS @ RDS(on) Order codes IDTJmax maxTABSTP36N55M5600 V
stp36nf06fp.pdf
STP36NF06STP36NF06FPN-channel 60V - 0.032 - 30A - TO-220/TO-220FPSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTP36NF06 60V
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918