STP360N4F6. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP360N4F6

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 1560 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0018 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для STP360N4F6

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP360N4F6 даташит

 ..1. Size:176K  st
 sti360n4f6 stp360n4f6.pdf pdf_icon

STP360N4F6

STI360N4F6, STP360N4F6 N-channel 40 V, 120 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in I PAK and TO-220 packages Datasheet - preliminary data Features RDS(on) Order codes VDSS max ID TAB TAB STI360N4F6 40 V

 9.1. Size:444K  st
 stp36nf06l stb36nf06l.pdf pdf_icon

STP360N4F6

STP36NF06L STB36NF06L N-channel 60V - 0.032 - 30A - TO-220 - D2PAK STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STP36NF06L 60V

 9.2. Size:396K  st
 stp36n05l.pdf pdf_icon

STP360N4F6

STP36N05L STP36N05LFI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STP36N05L 50 V

 9.3. Size:414K  st
 stp36n06.pdf pdf_icon

STP360N4F6

STP36N06 STP36N06FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STP36N06 60 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STP33N60M2, STP33N65M2, STP3401, STP3401A, STP3407, STP3467, STP3481, STP34N65M5, IRFZ46N, STP36N55M5, STP36NE06, STP36NE06FP, STP36NF06FP, STP38N65M5, STP3HNK90Z, STP3N80K5, STP3NA50