STP3HNK90Z. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP3HNK90Z

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 71 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.2 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для STP3HNK90Z

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP3HNK90Z даташит

 ..1. Size:386K  st
 stp3hnk90z stf3hnk90z.pdf pdf_icon

STP3HNK90Z

STP3HNK90Z STF3HNK90Z N-channel 900V - 0.35 - 3A - TO-220 - TO-220FP Zener-protected SuperMESH Power MOSFET General features VDSS Type RDS(on) ID (@Tjmax) STP3HNK90Z 900 V

 ..2. Size:380K  st
 stf3hnk90z stp3hnk90z.pdf pdf_icon

STP3HNK90Z

STP3HNK90Z STF3HNK90Z N-channel 900V - 0.35 - 3A - TO-220 - TO-220FP Zener-protected SuperMESH Power MOSFET General features VDSS Type RDS(on) ID (@Tjmax) STP3HNK90Z 900 V

Другие IGBT... STP3481, STP34N65M5, STP360N4F6, STP36N55M5, STP36NE06, STP36NE06FP, STP36NF06FP, STP38N65M5, K2611, STP3N80K5, STP3NA50, STP3NB100, STP3NB80, STP3NB80FP, STP3NK50Z, STP3NK90ZFP, STP400N4F6