STP3NB80 - аналоги и даташиты транзистора

 

STP3NB80 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: STP3NB80
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для STP3NB80

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP3NB80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:103K  st
 stp3nb80 stp3nb80fp.pdf pdf_icon

STP3NB80

STP3NB80STP3NB80FP N - CHANNEL 800V - 4.6 - 2.6A - TO-220/TO-220FPPowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP3NB80 800 V

 ..2. Size:346K  st
 stp3nb80.pdf pdf_icon

STP3NB80

STP3NB80STP3NB80FP N - CHANNEL 800V - 4.6 - 2.6A - TO-220/TO-220FPPowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP3NB80 800 V

 0.1. Size:353K  st
 stp3nb80-fp.pdf pdf_icon

STP3NB80

STP3NB80STP3NB80FP N - CHANNEL 800V - 4.6 - 2.6A - TO-220/TO-220FPPowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP3NB80 800 V

 8.1. Size:109K  st
 stp3nb100.pdf pdf_icon

STP3NB80

STP3NB100STP3NB100FPN-CHANNEL 1000V - 5.3 - 3A TO-220/TO-220FPPowerMesh MOSFETPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTP3NB100 1000 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STP36NE06 , STP36NE06FP , STP36NF06FP , STP38N65M5 , STP3HNK90Z , STP3N80K5 , STP3NA50 , STP3NB100 , HY1906P , STP3NB80FP , STP3NK50Z , STP3NK90ZFP , STP400N4F6 , STP40N20 , STP40N60M2 , STP40N65M2 , STP40NS15 .

History: QN3107M6N | AP60AN750IN

 

 
Back to Top

 


 
.