IXFH80N10Q - описание и поиск аналогов

 

IXFH80N10Q. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXFH80N10Q

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 360 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1600 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для IXFH80N10Q

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFH80N10Q даташит

 ..1. Size:52K  ixys
 ixfh80n10q ixft80n10q.pdf pdf_icon

IXFH80N10Q

IXFH 80N10Q VDSS = 100 V HiPerFETTM IXFT 80N10Q ID25 = 80 A Power MOSFETs RDS(on) = 15 mW Q-Class trr 200ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dV/dt Low Gate Charge and Capacitances Preliminary data TO-247 AD (IXFH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 100 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 100 V VGS Continuous 20 V VGSM Trans

 7.1. Size:70K  ixys
 ixfh80n20q ixfk80n20q ixft80n20q.pdf pdf_icon

IXFH80N10Q

IXFH 80N20Q HiPerFETTM VDSS = 200 V IXFK 80N20Q Power MOSFETs ID25 = 80 A IXFT 80N20Q Q-Class RDS(on) = 28 mW trr 200 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low Qg Preliminary data sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 200 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 200 V (TAB) VGS Continuous 20 V VGSM Transi

 7.2. Size:114K  ixys
 ixfh80n65x2.pdf pdf_icon

IXFH80N10Q

Advance Technical Information X2-Class HiPerFETTM VDSS = 650V IXFH80N65X2 Power MOSFET ID25 = 80A RDS(on) 40m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-247 Fast Intrinsic Diode G D S D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 650 V G = Gate D = Drain VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 650 V S =

 7.3. Size:54K  ixys
 ixfh80n085 ixft80n085.pdf pdf_icon

IXFH80N10Q

IXFH 80N085 VDSS = 85 V HiPerFETTM IXFT 80N085 ID25 = 80 A Power MOSFETs RDS(on) = 9 mW N-Channel Enhancement Mode trr 200 ns Avalanche Rated, High dv/dt Preliminary data sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C85 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 85 V VGS Continuous 20 V VGSM Transient 30 V (TAB) ID25 TC = 25 C80 A IL

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXFH6N90 , IXFH70N15 , IXFH75N10 , IXFH75N10Q , IXFH76N07-11 , IXFH76N07-12 , IXFH7N80 , IXFH7N90 , IRF640 , IXFH80N20Q , IXFH8N80 , IXFH9N80 , IXFJ13N50 , IXFJ32N50Q , IXFJ40N30 , IXFK100N10 , IXFK100N25 .

History: IXFH32N50Q

 

 

 


 
↑ Back to Top
.