Справочник MOSFET. STP40NS15

 

STP40NS15 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STP40NS15
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 380 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.052 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STP40NS15 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:81K  st
stp40ns15.pdfpdf_icon

STP40NS15

STP40NS15N-CHANNEL 150V - 0.042 - 40A TO-220MESH OVERLAY MOSFETPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTP40NS15 150 V

 8.1. Size:108K  st
stp40n03l-20.pdfpdf_icon

STP40NS15

STP40N03L-20N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE"ULTRA HIGH DENSITY" POWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE V R IDSS DS(on) DSTP40N03L-20 30 V

 8.2. Size:239K  st
stp40nf10l.pdfpdf_icon

STP40NS15

STP40NF10LN-channel 100V - 0.028 - 40A TO-220Low gate charge STripFET Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTP40NF10L 100V

 8.3. Size:440K  st
sti40n65m2 stp40n65m2.pdfpdf_icon

STP40NS15

STI40N65M2, STP40N65M2 N-channel 650 V, 0.087 typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK and TO-220 packages Datasheet - production data Features TAB TABOrder code V R max. I DS DS(on) DSTI40N65M2 650 V 0.099 32 A STP40N65M2 3 Extremely low gate charge 232 1 Excellent output capacitance (COSS) profile 1IPAK TO-220 100% avalanche tested

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: MMP65R190PTH | 12N65KL-TF1-T | PE632BA | MTM86128 | CHM3120PAGP | STY100NM60N | SI4532DY

 

 
Back to Top

 


 
.