STP40NS15. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP40NS15

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 380 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.052 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для STP40NS15

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP40NS15 даташит

 ..1. Size:81K  st
stp40ns15.pdfpdf_icon

STP40NS15

STP40NS15 N-CHANNEL 150V - 0.042 - 40A TO-220 MESH OVERLAY MOSFET PRELIMINARY DATA TYPE VDSS RDS(on) ID STP40NS15 150 V

 8.1. Size:108K  st
stp40n03l-20.pdfpdf_icon

STP40NS15

STP40N03L-20 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE "ULTRA HIGH DENSITY" POWER MOS TRANSISTOR PRELIMINARY DATA TYPE V R I DSS DS(on) D STP40N03L-20 30 V

 8.2. Size:239K  st
stp40nf10l.pdfpdf_icon

STP40NS15

STP40NF10L N-channel 100V - 0.028 - 40A TO-220 Low gate charge STripFET Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STP40NF10L 100V

 8.3. Size:440K  st
sti40n65m2 stp40n65m2.pdfpdf_icon

STP40NS15

STI40N65M2, STP40N65M2 N-channel 650 V, 0.087 typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in I PAK and TO-220 packages Datasheet - production data Features TAB TAB Order code V R max. I DS DS(on) D STI40N65M2 650 V 0.099 32 A STP40N65M2 3 Extremely low gate charge 2 3 2 1 Excellent output capacitance (COSS) profile 1 I PAK TO-220 100% avalanche tested

Другие IGBT... STP3NB80, STP3NB80FP, STP3NK50Z, STP3NK90ZFP, STP400N4F6, STP40N20, STP40N60M2, STP40N65M2, IRF740, STP413D, STP4403, STP4407, STP4407A, STP4435, STP4435A, STP45N10F7, STP45N65M5