IXFH80N20Q datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXFH80N20Q  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 360 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IXFH80N20Q

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFH80N20Q даташит

 ..1. Size:70K  ixys
 ixfh80n20q ixfk80n20q ixft80n20q.pdf pdf_icon

IXFH80N20Q

IXFH 80N20Q HiPerFETTM VDSS = 200 V IXFK 80N20Q Power MOSFETs ID25 = 80 A IXFT 80N20Q Q-Class RDS(on) = 28 mW trr 200 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low Qg Preliminary data sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 200 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 200 V (TAB) VGS Continuous 20 V VGSM Transi

 6.1. Size:245K  ixys
 ixfa80n25x3 ixfp80n25x3 ixfq80n25x3 ixfh80n25x3.pdf pdf_icon

IXFH80N20Q

Preliminary Technical Information X3-Class HiPerFETTM VDSS = 250V IXFA80N25X3 Power MOSFET ID25 = 80A IXFP80N25X3 RDS(on) 16m IXFQ80N25X3 TO-263 AA (IXFA) IXFH80N25X3 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated G S Fast Intrinsic Diode D (Tab) TO-220AB (IXFP) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VDSS TJ = 25 C to 150 C250D S D (Tab) V TO-3P (IXFQ) VDGR

 7.1. Size:52K  ixys
 ixfh80n10q ixft80n10q.pdf pdf_icon

IXFH80N20Q

IXFH 80N10Q VDSS = 100 V HiPerFETTM IXFT 80N10Q ID25 = 80 A Power MOSFETs RDS(on) = 15 mW Q-Class trr 200ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dV/dt Low Gate Charge and Capacitances Preliminary data TO-247 AD (IXFH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 100 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 100 V VGS Continuous 20 V VGSM Trans

 7.2. Size:114K  ixys
 ixfh80n65x2.pdf pdf_icon

IXFH80N20Q

Advance Technical Information X2-Class HiPerFETTM VDSS = 650V IXFH80N65X2 Power MOSFET ID25 = 80A RDS(on) 40m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-247 Fast Intrinsic Diode G D S D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 650 V G = Gate D = Drain VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 650 V S =

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXFH70N15, IXFH75N10, IXFH75N10Q, IXFH76N07-11, IXFH76N07-12, IXFH7N80, IXFH7N90, IXFH80N10Q, IRF640, IXFH8N80, IXFH9N80, IXFJ13N50, IXFJ32N50Q, IXFJ40N30, IXFK100N10, IXFK100N25, IXFK110N07