Справочник MOSFET. STP50NE10

 

STP50NE10 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STP50NE10
   Маркировка: P50NE10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 123 nC
   trⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 5000 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm
   Тип корпуса: TO-220

 Аналог (замена) для STP50NE10

 

 

STP50NE10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:256K  st
 stp50ne10.pdf

STP50NE10 STP50NE10

STP50NE10N-channel 100V - 0.021 - 50A TO-220STripFET Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTP50NE10 100V

 0.1. Size:260K  st
 stp50ne10l.pdf

STP50NE10 STP50NE10

STP50NE10LN - CHANNEL 100V - 0.020 - 50A TO-220STripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP50NE10L 100 V

 0.2. Size:86K  st
 stp50ne10--.pdf

STP50NE10 STP50NE10

STP50NE10 N - CHANNEL 100V - 0.021 - 50A - D2PAKSTripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP50NE10 100 V

 7.1. Size:201K  st
 stp50ne08.pdf

STP50NE10 STP50NE10

STP50NE08N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE" SINGLE FEATURE SIZE " POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP50NE08 80 V

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top