STP50NE10 - аналоги, параметры транзистора - Справочник транзисторов

STP50NE10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP50NE10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 5000 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для STP50NE10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

..1. Size:256K st
stp50ne10.pdf pdf_icon

STP50NE10 N-channel 100V - 0.021 - 50A TO-220 STripFET Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STP50NE10 100V

0.1. Size:260K st
stp50ne10l.pdf pdf_icon

STP50NE10L N - CHANNEL 100V - 0.020 - 50A TO-220 STripFET POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP50NE10L 100 V

0.2. Size:86K st
stp50ne10--.pdf pdf_icon

STP50NE10 N - CHANNEL 100V - 0.021 - 50A - D2PAK STripFET POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP50NE10 100 V

7.1. Size:201K st
stp50ne08.pdf pdf_icon

STP50NE08 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE " SINGLE FEATURE SIZE " POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP50NE08 80 V