Справочник MOSFET. STP50NE10

 

STP50NE10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STP50NE10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 5000 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STP50NE10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:256K  st
 stp50ne10.pdf pdf_icon

STP50NE10

STP50NE10N-channel 100V - 0.021 - 50A TO-220STripFET Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTP50NE10 100V

 0.1. Size:260K  st
 stp50ne10l.pdf pdf_icon

STP50NE10

STP50NE10LN - CHANNEL 100V - 0.020 - 50A TO-220STripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP50NE10L 100 V

 0.2. Size:86K  st
 stp50ne10--.pdf pdf_icon

STP50NE10

STP50NE10 N - CHANNEL 100V - 0.021 - 50A - D2PAKSTripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP50NE10 100 V

 7.1. Size:201K  st
 stp50ne08.pdf pdf_icon

STP50NE10

STP50NE08N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE" SINGLE FEATURE SIZE " POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP50NE08 80 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: IXFP8N85X | AO3495 | SE4953 | HSS2607 | SSF20N60S | APQ5ESN40AH | AOT42S60

 

 
Back to Top

 


 
.