STP7407. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP7407

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.33 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 223 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm

Тип корпуса: SOT-323

Аналог (замена) для STP7407

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP7407 даташит

 ..1. Size:163K  semtron
 stp7407.pdf pdf_icon

STP7407

STP7407 -20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION FEATURE The STP7407 is the P-Channel logic -20V/-3.4A, RDS(ON) =88m (typ.)@VGS =-4.5V enhancement mode power field effect transistor is -20V/-2.4A, RDS(ON) =110m (typ.)@VGS =-2.5V produced using high cell density. advanced trench -20V/-1.7A, RDS(ON) =150m (typ.)@VGS =-1.8V technology to provide excellen

 8.1. Size:456K  stansontech
 stp7401.pdf pdf_icon

STP7407

STP7401 P Channel Enhancement Mode MOSFET -2.8A DESCRIPTION STP7401 is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage application such as cellular phone and not

Другие IGBT... STP6NB90, STP6NC60, STP6NK60ZFP, STP6NK70Z, STP6NK90ZFP, STP6NM60N, STP6NS25, STP7401, 20N50, STP75N20, STP75N75F4, STP75NF75FP, STP77N6F6, STP7N105K5, STP7N60M2, STP7N65M2, STP7N80K5