STP7407 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: STP7407
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.33 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 223 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm
Тип корпуса: SOT-323
Аналог (замена) для STP7407
STP7407 Datasheet (PDF)
stp7407.pdf
STP7407 -20V P-Channel Enhancement Mode MOSFETDESCRIPTIONFEATUREThe STP7407 is the P-Channel logic -20V/-3.4A, RDS(ON) =88m(typ.)@VGS =-4.5V enhancement mode power field effect transistor is -20V/-2.4A, RDS(ON) =110m(typ.)@VGS =-2.5V produced using high cell density. advanced trench -20V/-1.7A, RDS(ON) =150m(typ.)@VGS =-1.8V technology to provide excellen
stp7401.pdf
STP7401 P Channel Enhancement Mode MOSFET -2.8A DESCRIPTION STP7401 is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage application such as cellular phone and not
Другие MOSFET... STP6NB90 , STP6NC60 , STP6NK60ZFP , STP6NK70Z , STP6NK90ZFP , STP6NM60N , STP6NS25 , STP7401 , 20N50 , STP75N20 , STP75N75F4 , STP75NF75FP , STP77N6F6 , STP7N105K5 , STP7N60M2 , STP7N65M2 , STP7N80K5 .
History: RHK003N06FRA | STB28NM50N
History: RHK003N06FRA | STB28NM50N
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM40P75D | AGM40P75A | AGM40P65E | AGM40P65AP | AGM40P55D | AGM40P55AP | AGM40P55A | AGM40P35D | AGM40P35AP | AGM40P35A-KU | AGM40P35A | AGM40P30D | AGM40P30AP | AGM40P30A | AGM60P20R | AGM60P20D
Popular searches
2sa1106 | 2sb56 | 2sc1451 datasheet | 2sc373 | a1023 datasheet | 2sc1080 | 2sb618 | 2sc1328



