Справочник MOSFET. IXFK100N25

 

IXFK100N25 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFK100N25
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 560 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1800 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm
   Тип корпуса: TO264
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFK100N25 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:96K  ixys
 ixfx100n25 ixfk100n25.pdf pdf_icon

IXFK100N25

IXFX 100N25 VDSS = 250 VHiPerFETTMIXFK 100N25 ID25 = 100 APower MOSFETsRDS(on) = 27 mSingle MOSFET Die trr 250 ns Symbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS 247TM (IXFX)VDSS TJ = 25C to 150C 250 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 250 V(TAB)GVGS Continuous 20 VDVGSM Transient 30 VID25 TC = 25C (MOSFET c

 ..2. Size:96K  ixys
 ixfk100n25.pdf pdf_icon

IXFK100N25

IXFX 100N25 VDSS = 250 VHiPerFETTMIXFK 100N25 ID25 = 100 APower MOSFETsRDS(on) = 27 mSingle MOSFET Die trr 250 ns Symbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS 247TM (IXFX)VDSS TJ = 25C to 150C 250 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 250 V(TAB)GVGS Continuous 20 VDVGSM Transient 30 VID25 TC = 25C (MOSFET c

 5.1. Size:112K  ixys
 ixfk100n20 ixfn90n20 ixfn106n20.pdf pdf_icon

IXFK100N25

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFK 90 N 20 200 V 90 A 23 mWPower MOSFETsIXFN 100 N 20 200 V 100 A 23 mWIXFN 106 N 20 200 V 106 A 20 mWN-Channel Enhancement Modetrr 200 nsAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrTO-264 AASymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-264 AA (IXFK)IXFK IXFN IXFN90N20 100N20 106N20VDSS TJ = 25C to 150C 200 200 200 VG (TAB)VDGR TJ = 25C t

 6.1. Size:159K  ixys
 ixfk100n65x2 ixfx100n65x2.pdf pdf_icon

IXFK100N25

Advance Technical InformationX2-Class HiPerFETTM VDSS = 650VIXFK100N65X2Power MOSFET ID25 = 100AIXFX100N65X2 RDS(on) 30m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeTO-264P (IXFK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 150C 650 VDTabVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 V SVGSS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXFH80N10Q , IXFH80N20Q , IXFH8N80 , IXFH9N80 , IXFJ13N50 , IXFJ32N50Q , IXFJ40N30 , IXFK100N10 , IRF630 , IXFK110N07 , IXFK110N20 , IXFK120N20 , IXFK150N10 , IXFK150N15 , IXFK170N10 , IXFK180N07 , IXFK180N085 .

History: HM4620D | BF964S | STN4826 | BSC032N03SG | TK12A53D | NCEAP60T20D | WSD4066DN

 

 
Back to Top

 


 
.