STP80N6F6. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP80N6F6

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 71 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для STP80N6F6

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP80N6F6 даташит

 ..1. Size:456K  st
stp80n6f6.pdfpdf_icon

STP80N6F6

STP80N6F6 Automotive-grade N-channel 60 V, 4.4 m typ., 80 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in a TO-220 package Datasheet - production data Features Order code VDS RDS(on) max. ID TAB STP80N6F6 60 V 5 m 80 A(1) 1. Current limited by package 3 Designed for automotive applications and 2 1 AEC-Q101 qualified Low gate charge TO-220 Very low on-resistance

 8.1. Size:447K  st
stb80nf55-06 stb80nf55-06-1 stp80nf55-06 stp80nf55-06fp.pdfpdf_icon

STP80N6F6

STB80NF55-06 - STB80NF55-06-1 STP80NF55-06 - STP80NF55-06FP N-channel 55V - 0.005 - 80A - TO-220 /FP - I2PAK - D2PAK STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB80NF55-06 55V

 8.2. Size:232K  st
stp80nf10fp.pdfpdf_icon

STP80N6F6

STP80NF10FP N-channel 100V - 0.012 - 38A - TO-220FP Low gate charge STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID(1) STP80NF10FP 100V

 8.3. Size:353K  st
stp80nf55.pdfpdf_icon

STP80N6F6

STP80NF55-08 STB80NF55-08 STB80NF55-08-1 N-CHANNEL 55V - 0.0065 - 80A D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET II POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STB80NF55-08/-1 55 V

Другие IGBT... STP7N105K5, STP7N60M2, STP7N65M2, STP7N80K5, STP7NB60, STP7NK40ZFP, STP7NM50N, STP80N10F7, 7N60, STP80N70F6, STP80NE03L-06, STP80NE06-10, STP80NF03L, STP80NF03L-04, STP80NF55-06FP, STP8N80K5, STP8NK85Z