STP8NK85Z. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP8NK85Z

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 850 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для STP8NK85Z

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP8NK85Z даташит

 ..1. Size:338K  st
 stf8nk85z stp8nk85z stp8nk85z stf8nk85z.pdf pdf_icon

STP8NK85Z

STP8NK85Z STF8NK85Z N-channel 850V - 1.1 - 6.7A - TO-220 /TO-220FP Zener - protected SuperMESH Power MOSFET General features VDSS Type RDS(on) ID (@Tjmax) STP8NK85Z 850 V

 ..2. Size:337K  st
 stp8nk85z stf8nk85z 2.pdf pdf_icon

STP8NK85Z

STP8NK85Z STF8NK85Z N-channel 850V - 1.1 - 6.7A - TO-220 /TO-220FP Zener - protected SuperMESH Power MOSFET General features VDSS Type RDS(on) ID (@Tjmax) STP8NK85Z 850 V

 7.1. Size:472K  st
 stp8nk80z.pdf pdf_icon

STP8NK85Z

STP8NK80Z - STP8NK80ZFP STW8NK80Z N-CHANNEL 800V - 1.3 - 6.2A TO-220/TO-220FP/TO-247 Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STP8NK80Z 800 V

 7.2. Size:422K  st
 stp8nk80z stp8nk80zfp stw8nk80z.pdf pdf_icon

STP8NK85Z

STP8NK80Z - STP8NK80ZFP STW8NK80Z N-channel 800V - 1.3 - 6.2A - TO-220 /TO-220FP/TO-247 Zener-protected SuperMESH Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID STP8NK80Z 800 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STP80N6F6, STP80N70F6, STP80NE03L-06, STP80NE06-10, STP80NF03L, STP80NF03L-04, STP80NF55-06FP, STP8N80K5, K2611, STP8NM50FP, STP8NM60D, STP8NM60FP, STP8NM60N, STP8NS25FP, STP90N6F6, STP9235, STP9435