Справочник MOSFET. STP8NM50FP

 

STP8NM50FP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STP8NM50FP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 88 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
   Тип корпуса: TO-220FP
 

 Аналог (замена) для STP8NM50FP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP8NM50FP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:286K  st
stp8nm50fp stp8nm50 stp8nm50fp.pdfpdf_icon

STP8NM50FP

STP8NM50STP8NM50FPN-channel 550V @ Tjmax - 0.7 - 8A - TO-220 - TO-220FPMDmesh Power MOSFETGeneral featuresVDSS Type RDS(on) ID(@Tjmax)STP8NM50 550V

 6.1. Size:1402K  st
std8nm50n stf8nm50n stp8nm50n stu8nm50n.pdfpdf_icon

STP8NM50FP

STD8NM50N, STF8NM50NSTP8NM50N, STU8NM50NN-channel 500 V, 0.73 , 5 A MDmeshII Power MOSFETin DPAK, IPAK, TO-220 and TO-220FPFeaturesOrder codes VDSS@TJMAX RDS(on)max. ID3312STD8NM50N1DPAKSTF8NM50NIPAK550 V

 6.2. Size:329K  st
stp8nm50.pdfpdf_icon

STP8NM50FP

STP8NM50STP8NM50FPN-CHANNEL 500V - 0.7 - 8A TO-220/TO-220FPMDmeshPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP8NM50 500V

 8.1. Size:698K  st
stb8nm60n std8nm60n-1 stf8nm60n stp8nm60n.pdfpdf_icon

STP8NM50FP

STx8NM60NN-channel 600 V, 0.56 ,7 A MDmesh II Power MOSFETTO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAKFeaturesVDSS RDS(on) Type ID3(@Tjmax) max2132STB8NM60N 650 V

Другие MOSFET... STP80N70F6 , STP80NE03L-06 , STP80NE06-10 , STP80NF03L , STP80NF03L-04 , STP80NF55-06FP , STP8N80K5 , STP8NK85Z , 2SK3918 , STP8NM60D , STP8NM60FP , STP8NM60N , STP8NS25FP , STP90N6F6 , STP9235 , STP9435 , STP9437 .

History: KP739A

 

 
Back to Top

 


 
.