STP8NM50FP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP8NM50FP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 88 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm

Тип корпуса: TO-220FP

Аналог (замена) для STP8NM50FP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP8NM50FP даташит

 ..1. Size:286K  st
 stp8nm50fp stp8nm50 stp8nm50fp.pdf pdf_icon

STP8NM50FP

STP8NM50 STP8NM50FP N-channel 550V @ Tjmax - 0.7 - 8A - TO-220 - TO-220FP MDmesh Power MOSFET General features VDSS Type RDS(on) ID (@Tjmax) STP8NM50 550V

 6.1. Size:1402K  st
 std8nm50n stf8nm50n stp8nm50n stu8nm50n.pdf pdf_icon

STP8NM50FP

STD8NM50N, STF8NM50N STP8NM50N, STU8NM50N N-channel 500 V, 0.73 , 5 A MDmesh II Power MOSFET in DPAK, IPAK, TO-220 and TO-220FP Features Order codes VDSS@TJMAX RDS(on)max. ID 3 3 1 2 STD8NM50N 1 DPAK STF8NM50N IPAK 550 V

 6.2. Size:329K  st
 stp8nm50.pdf pdf_icon

STP8NM50FP

STP8NM50 STP8NM50FP N-CHANNEL 500V - 0.7 - 8A TO-220/TO-220FP MDmesh Power MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP8NM50 500V

 8.1. Size:698K  st
 stb8nm60n std8nm60n-1 stf8nm60n stp8nm60n.pdf pdf_icon

STP8NM50FP

STx8NM60N N-channel 600 V, 0.56 ,7 A MDmesh II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAK Features VDSS RDS(on) Type ID 3 (@Tjmax) max 2 1 3 2 STB8NM60N 650 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STP80N70F6, STP80NE03L-06, STP80NE06-10, STP80NF03L, STP80NF03L-04, STP80NF55-06FP, STP8N80K5, STP8NK85Z, EMB04N03H, STP8NM60D, STP8NM60FP, STP8NM60N, STP8NS25FP, STP90N6F6, STP9235, STP9435, STP9437