Справочник MOSFET. STT3P2UH7

 

STT3P2UH7 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STT3P2UH7
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 66 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для STT3P2UH7

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STT3P2UH7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:543K  st
 stt3p2uh7.pdf pdf_icon

STT3P2UH7

STT3P2UH7 P-channel 20 V, 0.087 typ., 3 A STripFET H7 Power MOSFET in a SOT23-6L package Datasheet - production data Very low on-resistance Very low capacitance and gate charge High avalanche ruggedness Applications Switching applications Description SOT23-6LThis P-channel Power MOSFET utilizes the STripFET H7 technology with a trench gate structu

 9.1. Size:181K  st
 stt3pf30l.pdf pdf_icon

STT3P2UH7

STT3PF30LP-CHANNEL 30V - 0.14 - 3A SOT23-6LSTripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTT3PF30L 30 V

 9.2. Size:332K  st
 stt3pf20v.pdf pdf_icon

STT3P2UH7

STT3PF20VP-CHANNEL 20V - 0.14 - 2.2A SOT23-6L2.7-DRIVE STripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTT3PF20V TYPICAL RDS(on) = 0.14 (@4.5V) TYPICAL RDS(on) = 0.20 (@2.7V) ULTRA LOW THRESHOLD GATE DRIVE (2.7V) STANDARD OUTLINE FOR EASY AUTOMATED SURFACE MOUNT ASSEMBLYSOT23-6LDESCRIPTIONThis Power MOSFET is the latest development ofSTMicroelectronis unique "Single

Другие MOSFET... STS9NH3LL , STS9P2UH7 , STSJ100NH3LL , STSJ100NHS3LL , STSJ25NF3LL , STSJ50NH3LL , STSJ60NH3LL , STT2PF60L , IRFP250 , STT3PF30L , STT4P3LLH6 , STT4PF20V , STT5N2VH5 , STT5PF20V , STT6N3LLH6 , STT7P2UH7 , STU10N60M2 .

History: SMC3415A | AONR21311C

 

 
Back to Top

 


 
.