STT3P2UH7. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STT3P2UH7

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 66 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для STT3P2UH7

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STT3P2UH7 даташит

 ..1. Size:543K  st
 stt3p2uh7.pdf pdf_icon

STT3P2UH7

STT3P2UH7 P-channel 20 V, 0.087 typ., 3 A STripFET H7 Power MOSFET in a SOT23-6L package Datasheet - production data Very low on-resistance Very low capacitance and gate charge High avalanche ruggedness Applications Switching applications Description SOT23-6L This P-channel Power MOSFET utilizes the STripFET H7 technology with a trench gate structu

 9.1. Size:181K  st
 stt3pf30l.pdf pdf_icon

STT3P2UH7

STT3PF30L P-CHANNEL 30V - 0.14 - 3A SOT23-6L STripFET II POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STT3PF30L 30 V

 9.2. Size:332K  st
 stt3pf20v.pdf pdf_icon

STT3P2UH7

STT3PF20V P-CHANNEL 20V - 0.14 - 2.2A SOT23-6L 2.7-DRIVE STripFET II POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STT3PF20V TYPICAL RDS(on) = 0.14 (@4.5V) TYPICAL RDS(on) = 0.20 (@2.7V) ULTRA LOW THRESHOLD GATE DRIVE (2.7V) STANDARD OUTLINE FOR EASY AUTOMATED SURFACE MOUNT ASSEMBLY SOT23-6L DESCRIPTION This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronis unique "Single

Другие IGBT... STS9NH3LL, STS9P2UH7, STSJ100NH3LL, STSJ100NHS3LL, STSJ25NF3LL, STSJ50NH3LL, STSJ60NH3LL, STT2PF60L, AON7506, STT3PF30L, STT4P3LLH6, STT4PF20V, STT5N2VH5, STT5PF20V, STT6N3LLH6, STT7P2UH7, STU10N60M2