STU80N4F6. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STU80N4F6

Маркировка: 80N4F6

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 36 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 7.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 335 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0063 Ohm

Тип корпуса: IPAK

Аналог (замена) для STU80N4F6

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STU80N4F6 даташит

 ..1. Size:1084K  st
 stu80n4f6.pdf pdf_icon

STU80N4F6

STU80N4F6 N-channel 40 V, 5.8 m typ., 80 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in a IPAK package Datasheet - production data Features Order code VDS RDS(on) max ID STU80N4F6 40 V 6.3 m 80 A TAB Low gate charge 3 Very low on-resistance 2 1 High avalanche ruggedness IPAK Applications Switching applications Figure 1. Internal schematic diagram Description

 9.1. Size:123K  samhop
 stu802s std802s.pdf pdf_icon

STU80N4F6

Green Product STU/D802S a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). RDS(ON) (m ) Max VDSS ID Rugged and reliable. 35 @ VGS=10V 80V 25A TO-252 and TO-251 Package. 50 @ VGS=4.5V D D D G G S S G STU SERIES STD SERIES TO-252AA(D-PAK) TO-251(l-P

Другие IGBT... STU6N65K3, STU6N65M2, STU6N95K5, STU7N105K5, STU7N60M2, STU7N65M2, STU7N80K5, STU7NF25, K2611, STU8N80K5, STU95N4F3, STU9HN65M2, STU9N60M2, STU9N65M2, IRFR420APBF, IRFR420B, IRFR420PBF