Справочник MOSFET. IRFR9214PBF

 

IRFR9214PBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFR9214PBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 14 nC
   trⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFR9214PBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:159K  vishay
 irfr9214pbf.pdf pdf_icon

IRFR9214PBF

IRFR9214, IRFU9214, SiHFR9214, SiHFU9214Vishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY P-ChannelVDS (V) - 250 Surface Mount (IRFR9214/SiHFR9214) AvailableRDS(on) ()VGS = - 10 V 3.0 Straight Lead (IRFU9214/SiHFU9214) RoHS*Qg (Max.) (nC) 14COMPLIANT Advanced Process TechnologyQgs (nC) 3.1 Fast SwitchingQgd (nC) 6.8 Fully Avalanche RatedC

 6.1. Size:107K  international rectifier
 irfr9214.pdf pdf_icon

IRFR9214PBF

PD - 9.1658AIRFR/U9214PRELIMINARYHEXFET Power MOSFET P-Channel DVDSS = -250V Surface Mount (IRFR9214) Straight Lead (IRFU9214)RDS(on) = 3.0 Advanced Process TechnologyG Fast Switching Fully Avalanche Rated ID = -2.7ASDescriptionThird Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieve lowon-resistance per silico

 6.2. Size:279K  international rectifier
 irfr9214 irfu9214.pdf pdf_icon

IRFR9214PBF

PD - 95375AIRFR/U9214PbFHEXFET Power MOSFETl P-Channel DVDSS = -250Vl Surface Mount (IRFR9214)l Straight Lead (IRFU9214)RDS(on) = 3.0l Advanced Process TechnologyGl Fast Switchingl Fully Avalanche Rated ID = -2.7ASl Lead-FreeDescriptionThird Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieve lowon-resistance pe

 6.3. Size:151K  vishay
 irfr9214 irfu9214 sihfr9214 sihfu9214.pdf pdf_icon

IRFR9214PBF

IRFR9214, IRFU9214, SiHFR9214, SiHFU9214Vishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY P-ChannelVDS (V) - 250 Surface Mount (IRFR9214/SiHFR9214) AvailableRDS(on) ()VGS = - 10 V 3.0 Straight Lead (IRFU9214/SiHFU9214) RoHS*Qg (Max.) (nC) 14COMPLIANT Advanced Process TechnologyQgs (nC) 3.1 Fast SwitchingQgd (nC) 6.8 Fully Avalanche RatedC

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: NTGS3433 | SFP055N80C2

 

 
Back to Top

 


 
.