Справочник MOSFET. IRFR9310PBF

 

IRFR9310PBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFR9310PBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 13 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для IRFR9310PBF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFR9310PBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:252K  international rectifier
 irfr9310pbf irfu9310pbf.pdf pdf_icon

IRFR9310PBF

PD - 95064AIRFR9310PbFIRFU9310PbFl P-ChannelHEXFET Power MOSFETl Surface Mount (IRFR9310)l Straight Lead (IRFU9310)DVDSS = -400Vl Advanced Process Technologyl Fast Switchingl Fully Avalanche RatedRDS(on) = 7.0Gl Lead-FreeID = -1.8ADescriptionSThird Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achievelow on-

 6.1. Size:116K  international rectifier
 irfr9310.pdf pdf_icon

IRFR9310PBF

PD 9.1663IRFR/U9310PRELIMINARYHEXFET Power MOSFET P-ChannelD Surface Mount (IRFR9310)VDSS = -400V Straight Lead (IRFU9310) Advanced Process TechnologyRDS(on) = 7.0 Fast SwitchingG Fully Avalanche RatedID = -1.8ASDescriptionThird Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achievelow on-resistance per silicon

 6.2. Size:276K  international rectifier
 irfr9310 irfu9310.pdf pdf_icon

IRFR9310PBF

PD - 95064AIRFR9310PbFIRFU9310PbFl P-ChannelHEXFET Power MOSFETl Surface Mount (IRFR9310)l Straight Lead (IRFU9310)DVDSS = -400Vl Advanced Process Technologyl Fast Switchingl Fully Avalanche RatedRDS(on) = 7.0Gl Lead-FreeID = -1.8ADescriptionSThird Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achievelow on-

 6.3. Size:827K  vishay
 irfr9310 irfu9310 sihfr9310 sihfu9310.pdf pdf_icon

IRFR9310PBF

IRFR9310, IRFU9310, SiHFR9310, SiHFU9310Vishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY P-ChannelVDS (V) - 400Available Surface Mount (IRFR9310/SiHFR9310)RDS(on) ()VGS = - 10 V 7.0RoHS* Straight Lead (IRFU9310/SiHFU9310)Qg (Max.) (nC) 13COMPLIANT Advanced Process TechnologyQgs (nC) 3.2 Fast SwitchingQgd (nC) 5.0 Fully Avalanche Rated

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFR9024NPBF , IRFR9024PBF , IRFR9110PBF , IRFR9120NPBF , IRFR9120PBF , IRFR9210PBF , IRFR9214PBF , IRFR9220PBF , IRF9540 , IRFR9N20DPBF , IRFS11N50APBF , IRFS17N20D , IRFS17N20DPBF , IRFS23N20DPBF , IRFS244 , IRFS250B , IRFS254 .

 

 
Back to Top

 


 
.