IRFR9310PBF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFR9310PBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для IRFR9310PBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFR9310PBF даташит

 ..1. Size:252K  international rectifier
 irfr9310pbf irfu9310pbf.pdf pdf_icon

IRFR9310PBF

PD - 95064A IRFR9310PbF IRFU9310PbF l P-Channel HEXFET Power MOSFET l Surface Mount (IRFR9310) l Straight Lead (IRFU9310) D VDSS = -400V l Advanced Process Technology l Fast Switching l Fully Avalanche Rated RDS(on) = 7.0 G l Lead-Free ID = -1.8A Description S Third Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve low on-

 6.1. Size:116K  international rectifier
 irfr9310.pdf pdf_icon

IRFR9310PBF

PD 9.1663 IRFR/U9310 PRELIMINARY HEXFET Power MOSFET P-Channel D Surface Mount (IRFR9310) VDSS = -400V Straight Lead (IRFU9310) Advanced Process Technology RDS(on) = 7.0 Fast Switching G Fully Avalanche Rated ID = -1.8A S Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve low on-resistance per silicon

 6.2. Size:276K  international rectifier
 irfr9310 irfu9310.pdf pdf_icon

IRFR9310PBF

PD - 95064A IRFR9310PbF IRFU9310PbF l P-Channel HEXFET Power MOSFET l Surface Mount (IRFR9310) l Straight Lead (IRFU9310) D VDSS = -400V l Advanced Process Technology l Fast Switching l Fully Avalanche Rated RDS(on) = 7.0 G l Lead-Free ID = -1.8A Description S Third Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve low on-

 6.3. Size:827K  vishay
 irfr9310 irfu9310 sihfr9310 sihfu9310.pdf pdf_icon

IRFR9310PBF

IRFR9310, IRFU9310, SiHFR9310, SiHFU9310 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY P-Channel VDS (V) - 400 Available Surface Mount (IRFR9310/SiHFR9310) RDS(on) ( )VGS = - 10 V 7.0 RoHS* Straight Lead (IRFU9310/SiHFU9310) Qg (Max.) (nC) 13 COMPLIANT Advanced Process Technology Qgs (nC) 3.2 Fast Switching Qgd (nC) 5.0 Fully Avalanche Rated

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFR9024NPBF, IRFR9024PBF, IRFR9110PBF, IRFR9120NPBF, IRFR9120PBF, IRFR9210PBF, IRFR9214PBF, IRFR9220PBF, 2N7000, IRFR9N20DPBF, IRFS11N50APBF, IRFS17N20D, IRFS17N20DPBF, IRFS23N20DPBF, IRFS244, IRFS250B, IRFS254