IRFS3107PBF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFS3107PBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 370 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 195 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 840 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для IRFS3107PBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFS3107PBF даташит

 ..1. Size:371K  international rectifier
 irfs3107pbf irfsl3107pbf.pdf pdf_icon

IRFS3107PBF

PD -97144A IRFS3107PbF IRFSL3107PbF HEXFET Power MOSFET Applications D VDSS 75V l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS RDS(on) typ. 2.5m l Uninterruptible Power Supply l High Speed Power Switching max. 3.0m l Hard Switched and High Frequency Circuits G ID (Silicon Limited) 230A c ID (Package Limited) 195A S Benefits l Improved Gate, Avalanche and Dyn

 ..2. Size:205K  inchange semiconductor
 irfs3107pbf.pdf pdf_icon

IRFS3107PBF

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor IRFS3107PbF FEATURES With TO-263(D2PAK) packaging Uninterruptible power supply High speed switching Hard switched and high frequency circuits 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operationz APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

 6.1. Size:322K  international rectifier
 irfs3107-7ppbf.pdf pdf_icon

IRFS3107PBF

IRFS3107-7PPbF HEXFET Power MOSFET Applications D VDSS 75V l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS RDS(on) typ. 2.1m l Uninterruptible Power Supply max. 2.6m l High Speed Power Switching G l Hard Switched and High Frequency Circuits ID 260A S ID (Package Limited) 240A Benefits l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt D Ruggedness l Fully Characterized C

 6.2. Size:694K  infineon
 auirfs3107-7p.pdf pdf_icon

IRFS3107PBF

AUTOMOTIVE GRADE AUIRFS3107-7P HEXFET Power MOSFET Features VDSS 75V Advanced Process Technology RDS(on) typ. 2.1m Ultra Low On-Resistance max. 2.6m Enhanced dV/dT and dI/dT capability 175 C Operating Temperature ID (Silicon Limited) 260A Fast Switching ID (Package Limited) 240A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lea

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFS244, IRFS250B, IRFS254, IRFS3004-7PPBF, IRFS3004PBF, IRFS3006-7PPBF, IRFS3006PBF, IRFS3107-7PPBF, AO3401, IRFS31N20DPBF, IRFS3206PBF, IRFS3207PBF, IRFS3207ZPBF, IRFS3306PBF, IRFS3307PBF, IRFS3307ZPBF, IRFS33N15DPBF