IRFS38N20DPBF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFS38N20DPBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 43 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 95 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.054 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для IRFS38N20DPBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFS38N20DPBF даташит

 ..1. Size:336K  international rectifier
 irfb38n20dpbf irfs38n20dpbf.pdf pdf_icon

IRFS38N20DPBF

PD - 97001C IRFB38N20DPbF IRFS38N20DPbF IRFSL38N20DPbF HEXFET Power MOSFET Applications Key Parameters l High frequency DC-DC converters VDS 200 V l Plasma Display Panel VDS (Avalanche) min. 260 V Benefits RDS(ON) max @ 10V m 54 l Low Gate-to-Drain Charge to TJ max 175 C Reduce Switching Losses l Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify De

 ..2. Size:583K  infineon
 irfb38n20dpbf irfs38n20dpbf irfsl38n20dpbf.pdf pdf_icon

IRFS38N20DPBF

IRFB38N20DPbF IRFS38N20DPbF IRFSL38N20DPbF HEXFET Power MOSFET Key Parameters Applications High frequency DC-DC converters VDS 200 V Plasma Display Panel VDS(Avalanche) min. 260 V RDS(on) max @ 10V 54 m Benefits TJ max 175 C Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS D D D

 4.1. Size:133K  international rectifier
 irfs38n20d.pdf pdf_icon

IRFS38N20DPBF

PD - 94358 IRFB38N20D IRFS38N20D SMPS MOSFET IRFSL38N20D HEXFET Power MOSFET Applications VDSS RDS(on) max ID High frequency DC-DC converters 200V 0.054 44A Benefits Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) Fully Characterized Avalanche Voltage and Current

 4.2. Size:258K  inchange semiconductor
 irfs38n20d.pdf pdf_icon

IRFS38N20DPBF

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRFS38N20D FEATURES With To-263(D2PAK) package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Vo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFS3207ZPBF, IRFS3306PBF, IRFS3307PBF, IRFS3307ZPBF, IRFS33N15DPBF, IRFS3507PBF, IRFS3607PBF, IRFS3806PBF, IRFB3607, IRFS4010-7PPBF, IRFS4010PBF, IRFS4020PBF, IRFS4115-7PPBF, IRFS4115PBF, IRFS4127PBF, IRFS41N15DPBF, IRFS4227PBF