Справочник MOSFET. IXFK34N80

 

IXFK34N80 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFK34N80
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 560 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 270 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 920 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm
   Тип корпуса: TO264
 

 Аналог (замена) для IXFK34N80

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFK34N80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:48K  ixys
ixfk34n80 ixfx34n80.pdfpdf_icon

IXFK34N80

HiPerFETTM IXFK 34N80 VDSS = 800 VIXFX 34N80 ID25 = 34 APower MOSFETsRDS(on) = 0.24 WSingle MOSFET Dietrr 250 nsAvalanche RatedPreliminary data sheetSymbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS 247TM (IXFX)VDSS TJ = 25C to 150C 800 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 800 V (TAB)GVGS Continuous 20 VDVGSM Transient 30 VID25 TC = 25C34 ATO-264 AA (I

 9.1. Size:38K  ixys
ixfk33n50 ixfk35n50.pdfpdf_icon

IXFK34N80

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFK33N50 500 V 33 A 0.16 WPower MOSFETsIXFK35N50 500 V 35 A 0.15 WN-Channel Enhancement Modetrr 250 nsAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrPreliminary dataTO-264 AASymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 500 VGVGS Continuous 20 V D (TAB)DSVGSM Transient 30 VID

 9.2. Size:161K  ixys
ixfk32n80p ixfx32n80p.pdfpdf_icon

IXFK34N80

IXFK 32N80P VDSS = 800 VPolarHVTM HiPerFETIXFX 32N80P ID25 = 32 APower MOSFET RDS(on) 270 m N-Channel Enhancement Modetrr 250 nsAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-264 (IXFK)VDSS TJ = 25 C to 150 C 800 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 800 VVGSS Contin

 9.3. Size:192K  ixys
ixfk32n60 ixfn32n60 ixfk36n60 ixfn36n60.pdfpdf_icon

IXFK34N80

IXFK 32N60 IXFN 32N60IXFK 36N60 IXFN 36N60Preliminary DataVDSS ID25 RDS(on) trrIXFK/FN 36N60 600V 36A 0.18 250nsHiPerFETTM Power MOSFETIXFK/FN 32N60 600V 32A 0.25 250nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrTO-264 AA (IXFK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsIXFK IXFNVDSS TJ = 25C to 150C 600 600 VGVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1

Другие MOSFET... IXFK180N10 , IXFK20N80Q , IXFK26N60Q , IXFK26N90 , IXFK27N80 , IXFK32N50Q , IXFK32N60 , IXFK33N50 , 5N60 , IXFK35N50 , IXFK36N60 , IXFK44N50 , IXFK44N60 , IXFK48N50 , IXFK48N50Q , IXFK50N50 , IXFK52N30Q .

History: MDP4N60TH | JCS640S

 

 
Back to Top

 


 
.