IRFS41N15DPBF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFS41N15DPBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 41 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 63 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 510 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для IRFS41N15DPBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFS41N15DPBF даташит

 ..1. Size:337K  international rectifier
 irfb41n15dpbf irfib41n15dpbf irfs41n15dpbf.pdf pdf_icon

IRFS41N15DPBF

PD - 94927A IRFB41N15DPbF IRFIB41N15DPbF IRFS41N15DPbF IRFSL41N15DPbF Applications HEXFET Power MOSFET l High frequency DC-DC converters l Lead-Free VDSS RDS(on) max ID Benefits 150V 0.045 41A l Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses l Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) l Fully Characterized Avala

 ..2. Size:708K  infineon
 irfb41n15dpbf irfib41n15dpbf irfs41n15dpbf irfsl41n15dpbf.pdf pdf_icon

IRFS41N15DPBF

IRFB41N15DPbF IRFIB41N15DPbF IRFS41N15DPbF IRFSL41N15DPbF HEXFET Power MOSFET Applications High frequency DC-DC converters VDSS 150V Benefits RDS(on) max 0.045 Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses ID 41A Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. D D Note AN1001) Fully Characteri

 4.1. Size:193K  international rectifier
 irfs41n15d.pdf pdf_icon

IRFS41N15DPBF

PD- 93804A IRFB41N15D IRFS41N15D SMPS MOSFET IRFSL41N15D HEXFET Power MOSFET Applications VDSS RDS(on) max ID High frequency DC-DC converters 150V 0.045 41A Benefits Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) Fully Characterized Avalanche Voltage and Current

 4.2. Size:257K  inchange semiconductor
 irfs41n15d.pdf pdf_icon

IRFS41N15DPBF

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRFS41N15D FEATURES With To-263(D2PAK) package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Vo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFS3806PBF, IRFS38N20DPBF, IRFS4010-7PPBF, IRFS4010PBF, IRFS4020PBF, IRFS4115-7PPBF, IRFS4115PBF, IRFS4127PBF, IRFP450, IRFS4227PBF, IRFS4228PBF, IRFS4229PBF, IRFS4310PBF, IRFS4310ZPBF, IRFS4321-7PPBF, IRFS4321PBF, STB100N10F7