Справочник MOSFET. IRFS41N15DPBF

 

IRFS41N15DPBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFS41N15DPBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 41 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 63 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 510 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для IRFS41N15DPBF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFS41N15DPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:337K  international rectifier
irfb41n15dpbf irfib41n15dpbf irfs41n15dpbf.pdfpdf_icon

IRFS41N15DPBF

PD - 94927AIRFB41N15DPbFIRFIB41N15DPbF IRFS41N15DPbF IRFSL41N15DPbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl High frequency DC-DC convertersl Lead-FreeVDSS RDS(on) max IDBenefits150V 0.045 41Al Low Gate-to-Drain Charge to ReduceSwitching Lossesl Fully Characterized Capacitance IncludingEffective COSS to Simplify Design, (SeeApp. Note AN1001)l Fully Characterized Avala

 ..2. Size:708K  infineon
irfb41n15dpbf irfib41n15dpbf irfs41n15dpbf irfsl41n15dpbf.pdfpdf_icon

IRFS41N15DPBF

IRFB41N15DPbF IRFIB41N15DPbF IRFS41N15DPbF IRFSL41N15DPbF HEXFET Power MOSFET Applications High frequency DC-DC converters VDSS 150V Benefits RDS(on) max 0.045 Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses ID 41A Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. D D Note AN1001) Fully Characteri

 4.1. Size:193K  international rectifier
irfs41n15d.pdfpdf_icon

IRFS41N15DPBF

PD- 93804AIRFB41N15D IRFS41N15DSMPS MOSFET IRFSL41N15DHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max ID High frequency DC-DC converters150V 0.045 41ABenefits Low Gate-to-Drain Charge to ReduceSwitching Losses Fully Characterized Capacitance IncludingEffective COSS to Simplify Design, (SeeApp. Note AN1001) Fully Characterized Avalanche Voltageand Current

 4.2. Size:257K  inchange semiconductor
irfs41n15d.pdfpdf_icon

IRFS41N15DPBF

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRFS41N15DFEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Vo

Другие MOSFET... IRFS3806PBF , IRFS38N20DPBF , IRFS4010-7PPBF , IRFS4010PBF , IRFS4020PBF , IRFS4115-7PPBF , IRFS4115PBF , IRFS4127PBF , IRF1407 , IRFS4227PBF , IRFS4228PBF , IRFS4229PBF , IRFS4310PBF , IRFS4310ZPBF , IRFS4321-7PPBF , IRFS4321PBF , STB100N10F7 .

History: SM1A08NSV | 2SK2327

 

 
Back to Top

 


 
.