IRFS4228PBF datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: IRFS4228PBF 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 330 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 83 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 59 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 550 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
Тип корпуса: TO-263
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для IRFS4228PBF
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRFS4228PBF даташит
irfs4228pbf irfsl4228pbf.pdf
PD - 97231A IRFS4228PbF PDP SWITCH IRFSL4228PbF Features l Advanced Process Technology Key Parameters l Key Parameters Optimized for PDP VDS min 150 V Sustain, Energy Recovery and Pass VDS (Avalanche) typ. 180 V Switch Applications RDS(ON) typ. @ 10V m 12 l Low EPULSE Rating to Reduce Power IRP max @ TC= 100 C 170 A Dissipation in PDP Sustain, Energy TJ max 175 C Reco
irfs4229pbf.pdf
PD - 97080B IRFS4229PbF PDP SWITCH Features Key Parameters l Advanced Process Technology VDS min 250 V l Key Parameters Optimized for PDP Sustain, Energy Recovery and Pass Switch Applications VDS (Avalanche) typ. 300 V l Low EPULSE Rating to Reduce Power RDS(ON) typ. @ 10V m 42 Dissipation in PDP Sustain, Energy Recovery IRP max @ TC= 100 C 91 A and Pass Switch Application
irfs4227pbf irfsl4227pbf.pdf
PD - 96131A IRFS4227PbF PDP SWITCH IRFSL4227PbF Features Key Parameters l Advanced Process Technology VDS max 200 V l Key Parameters Optimized for PDP Sustain, VDS (Avalanche) typ. 240 V Energy Recovery and Pass Switch Applications l Low EPULSE Rating to Reduce Power m RDS(ON) typ. @ 10V 22 Dissipation in PDP Sustain, Energy Recovery IRP max @ TC= 100 C 130 A and Pass Switch
irfs4229(2).pdf
Isc N-Channel MOSFET Transistor IRFS4229 FEATURES With To-263(D2PAK) package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Volt
Другие IGBT... IRFS4010-7PPBF, IRFS4010PBF, IRFS4020PBF, IRFS4115-7PPBF, IRFS4115PBF, IRFS4127PBF, IRFS41N15DPBF, IRFS4227PBF, AO4407, IRFS4229PBF, IRFS4310PBF, IRFS4310ZPBF, IRFS4321-7PPBF, IRFS4321PBF, STB100N10F7, STB100NF03L-03-1, STB100NF03L-03T4
History: ZXMN3A14FTA | ZXM64N02XTA | ZXM64N03XTA
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
2sa750 datasheet | 2sa940 transistor datasheet | 2sb549 | 5n50 mosfet equivalent | a1016 transistor | a1693 transistor | a933 datasheet | c535 transistor



